MEMORY DEVICE USING COLUMNAR SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND METHOD FOR PRODUCING SAME

• Main Author: HARADA Nozomu
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 12.05.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

According to the present invention, on P layer stages 12a, 12b, which are connected in a belt shape in a first direction when viewed in plan, N+ layers 2aa, 2bb, which are also connected in a belt shape in the first direction, and Si columns 7a, 7b are formed. In addition, a gate insulating layer 14 and gate conductor layers 15a, 15b are formed so as to surround the Si columns 7a, 7b. A contact hole, the bottom of which is in contact with the N+ layers 2aa, 2bb, is formed within an insulating layer 20a; and first conductor W layers 22a, 22b are formed on the bottom of the contact hole. Insulating layers 24aa, 24bb, which have vacancies, are formed within the contact hole. A second conductor W layer 26a is formed in a second direction that is perpendicular to the first direction so as to be connected to the gate conductor layers 15a, 15b. Selon la présente invention, sur P étages de couche (12a, 12b), qui sont reliées en forme de courroie dans une première direction depuis une vue en plan, N+ couches (2aa, 2bb), qui sont également reliées en forme de courroie dans la première direction, et des colonnes de Si (7a, 7b) sont formées. De plus, une couche d'isolation de grille (14) et des couches de conducteur de grille (15a, 15b) sont formées de manière à entourer les colonnes de Si (7a, 7b). Un trou de contact, dont le fond est en contact avec les couches N+ (2aa, 2bb), est formé dans une couche isolante (20a) ; et des premières couches W de conducteur (22a, 22b) sont formées sur le fond du trou de contact. Des couches isolantes (24aa, 24bb), qui présentent des lacunes, sont formées dans le trou de contact. Une seconde couche W de conducteur (26a) est formée dans une seconde direction qui est perpendiculaire à la première direction de façon à être reliée aux couches de conducteur de grille (15a, 15b). 平面視において、第１の方向に帯状に繋がったＰ層台１２ａ、１２ｂ上に、同じく第１の方向に帯状に繋がったＮ+層２ａａ、２ｂｂと、Ｓｉ柱７ａ、７ｂと、を形成する。そして、Ｓｉ柱７ａ、７ｂを囲んでゲート絶縁層１４と、ゲート導体層１５ａ、１５ｂを形成する。そして、絶縁層２０ａ内に、底部がＮ+層２ａａ、２ｂｂに接したコンタクトホールを形成し、このコンタクトホールの底部に第１の導体Ｗ層２２ａ、２２ｂを形成する。そして、コンタクトホール内に空孔を有する絶縁層２４ａａ、２４ｂｂを形成する。そして、ゲート導体層１５ａ、１５ｂに接続して、第１の方向と直交した第２の方向に第２の導体Ｗ層２６ａを形成する。