DISTANCE IMAGE CAPTURING ELEMENT AND DISTANCE IMAGE CAPTURING DEVICE

• Main Authors: NAKAGOME Tomohiro, OOKUBO Yu
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 05.05.2022
• Subjects: ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION ORRERADIATION OF RADIO WAVES; MEASURING; MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; NAVIGATION; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY; PHYSICS; RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURVEYING; TESTING

In this distance image capturing element, formed on a semiconductor substrate is a pixel circuit at least comprising a photoelectric conversion element for generating charge corresponding to light incident from a space under measurement, charge accumulation units for accumulating the charge, transfer MOS transistors provided on transfer paths for transferring the charge from the photoelectric conversion element to the charge accumulation units, and charge discharging transistors provided on discharge paths for discharging the charge from the photoelectric conversion element. The photoelectric conversion element is formed on the semiconductor substrate so as to have an N-sided polygon shape (where N is an integer greater than or equal to 5) in plan view. The total number of transfer transistors and charge discharging transistors is greater than or equal to N, and one transfer transistor is provided at each second side, the second sides being the sides of the photoelectric conversion element other than first sides where the charge discharging MOS transistors are provided. La présente invention concerne un élément de capture d'image de distance comprenant un substrat semi-conducteur sur lequel est formé un circuit de pixel comprenant au moins un élément de conversion photoélectrique pour générer une charge correspondant à une lumière incidente provenant d'un espace en cours de mesure, des unités d'accumulation de charge pour accumuler la charge, des transistors MOS de transfert disposés sur des trajets de transfert pour transférer la charge depuis l'élément de conversion photoélectrique vers les unités d'accumulation de charge, et des transistors de décharge de charge disposés sur des trajets de décharge pour décharger la charge à partir de l'élément de conversion photoélectrique. L'élément de conversion photoélectrique est formé sur le substrat semi-conducteur de manière à avoir une forme polygonale à N côtés (N étant un nombre entier supérieur ou égal à 5) dans une vue en plan. Le nombre total de transistors de transfert et de transistors de décharge de charge est supérieur ou égal à N, et un transistor de transfert est disposé au niveau de chaque second côté, les seconds côtés étant les côtés de l'élément de conversion photoélectrique autres que les premiers côtés où les transistors MOS de décharge de charge sont disposés. 距離画像撮像素子は、測定対象の空間から入射した光に応じた電荷を発生する光電変換素子と、電荷を蓄積する電荷蓄積部と、光電変換素子から電荷を電荷蓄積部に転送する転送経路上に設けられた転送ＭＯＳトランジスタ（以下、ＴＲ）と、光電変換素子から電荷を排出する排出経路上に設けられた電荷排出ＴＲとを少なくとも備える画素回路が半導体基板上に形成されている。光電変換素子が平面視においてＮ角形（Ｎは、５以上の整数）の形状で半導体基板上に形成されている。転送ＴＲと電荷排出ＴＲとの総和がＮ個以上であり、光電変換素子の辺において、電荷排出ＭＯＳトランジスタが設けられた第１辺を除く他の第２辺に、転送ＴＲが１個ずつ設けられている。