HIGH FREQUENCY CIRCUIT

• Main Authors: TAKAHASHI, Toru, ISHIBASHI, Hidenori, SUGIYAMA, Yuta
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 05.05.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS; PRINTED CIRCUITS; SEMICONDUCTOR DEVICES

This high frequency circuit comprises: a wire (12) provided on a surface (11a) of a substrate (11) in contact with a heating unit (100); a wire (13) provided on the surface (11a) of the substrate (11) and connected to ground; and a chip resistor (15) connected between the wire (12) and the wire (13) and having a heat conducting property and an electric insulating property. The wire (12) is disposed between the heating unit (100) and the chip resistor (15), and includes a wire portion (12a) having a characteristic impedance equal to an impedance as an impedance matching reference for the wire (12), and a thin wire portion (12b) which is disposed on a lower temperature side of the boundary of the chip resistor (15), and has a thermal resistance higher than the thermal resistance of the chip resistor (15). Circuit haute fréquence comprenant : un fil (12) disposé sur une surface (11a) d'un substrat (11) en contact avec une unité chauffante (100) ; un fil (13) disposé sur la surface (11a) du substrat (11) et connecté à la terre ; et un pavé résistif (15) connecté entre le fil (12) et le fil (13) et présentant une propriété de conduction de chaleur et une propriété d'isolation électrique. Le fil (12) est disposé entre l'unité chauffante (100) et le pavé résistif (15), et comprend une partie fil (12a) présentant une impédance caractéristique égale à une impédance en tant que référence d'adaptation d'impédance pour le fil (12), et une partie fil fin (12b) qui est disposée sur un côté de température inférieure de la limite du pavé résistif (15), et qui présente une résistance thermique supérieure à la résistance thermique du pavé résistif (15). 高周波回路は、基板（１１）の表面（１１ａ）に設けられ、発熱部（１００）と接する配線（１２）と、基板（１１）の表面（１１ａ）に設けられ、グランド接続する配線（１３）と、配線（１２）と配線（１３）との間に接続され、熱伝導性及び電気絶縁性を有するチップ抵抗（１５）とを備え、配線（１２）は、発熱部（１００）とチップ抵抗（１５）との間に配置され、配線（１２）におけるインピーダンスの整合基準となるインピーダンスと等しい特性インピーダンスを有する配線部（１２ａ）と、チップ抵抗（１５）を境にして低温側に配置され、チップ抵抗（１５）の熱抵抗よりも高い熱抵抗を有する細配線部（１２ｂ）とを含む。