SENSOR DEVICE AND SENSING MODULE

• Main Authors: YAMAGISHI, Hajime, MIZUTA, Kyohei
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 28.04.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

This sensor device comprises a semiconductor substrate and a wiring layer section including a plurality of wiring layers formed on the semiconductor substrate. Pixels are formed in a layered structure consisting of the semiconductor substrate and the wiring layer section, and said pixels include a photoelectric conversion element for performing photoelectric conversion, a first charge holding section and a second charge holding section for holding a charge accumulated in the photoelectric conversion element, a first transfer transistor for transferring a charge to the first charge holding section, and a second transfer transistor for transferring a charge to the second charge holding section. Sheet sections are formed surrounding the gate wiring of each of the first and second transfer transistors extending in the thickness direction in the wiring layer section. La présente invention concerne un dispositif de capteur qui comprend un substrat semi-conducteur et une section de couche de câblage comprenant une pluralité de couches de câblage formées sur le substrat semi-conducteur. Des pixels sont formés dans une structure en couches du substrat semi-conducteur et la section de couche de câblage, lesdits pixels comprenant un élément de conversion photoélectrique pour réaliser une conversion photoélectrique, une première section de maintien de charge et une deuxième section de maintien de charge pour maintenir une charge stockée dans l'élément de conversion photoélectrique, un premier transistor de transfert pour transférer une charge à la première section de maintien de charge, et un deuxième transistor de transfert pour transférer une charge à la deuxième section de maintien de charge. Des sections de feuille sont formées entourant le câblage de grille de chacun des premier et deuxième transistors de transfert s'étendant dans la direction de l'épaisseur dans la section de couche de câblage. 本技術に係るセンサ装置は、半導体基板と、半導体基板上に形成され複数の配線層を有する配線層部とを備え、光電変換を行う光電変換素子と、光電変換素子に蓄積された電荷を保持する第一電荷保持部、及び第二電荷保持部と、電荷を第一電荷保持部に転送する第一転送トランジスタと、電荷を第二電荷保持部に転送する第二転送トランジスタとを有する画素が、半導体基板と配線層部とによる積層構造体において形成されており、配線層部において厚さ方向に延在する第一、第二転送トランジスタの各ゲート配線に対して、それぞれを取り囲むシールド部が形成されている。