SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Author: KOGA Akihiro
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 28.04.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

This semiconductor device comprises a lead, a semiconductor element, and a sealing resin. The lead includes an island portion having a main surface and a back surface facing away from each other in the thickness direction. The semiconductor element is mounted on the main surface of the island portion. The sealing resin covers the semiconductor element and the island portion. Further, the sealing resin includes a first portion and a second portion overlapping the island portion when viewed in the thickness direction. The sealing resin is configured such that the second portion has a higher infrared transmittance than the first portion. Ce dispositif à semi-conducteur comprend une broche de raccordement, un élément semi-conducteur et une résine d'étanchéité. La broche de raccordement comporte une partie îlot dotée d'une surface principale et d'une surface arrière tournées à l'opposé l'une de l'autre dans le sens de l'épaisseur. L'élément semi-conducteur est monté sur la surface principale de la partie îlot. La résine d'étanchéité recouvre l'élément semi-conducteur et la partie îlot. En outre, la résine d'étanchéité comprend une première partie et une seconde partie chevauchant la partie îlot lorsqu'elles sont observées dans le sen de l'épaisseur. La résine d'étanchéité est configurée de telle sorte que la seconde partie présente une transmittance infrarouge supérieure à celle de la première partie. 半導体装置は、リードと、半導体素子と、封止樹脂と、を含む。前記リードは、厚さ方向において、互いに反対側を向く主面および裏面を有するアイランド部を含んでいる。前記半導体素子は、前記アイランド部の前記主面に搭載されている。前記封止樹脂は、前記半導体素子および前記アイランド部を覆っている。また、前記封止樹脂は、第１部と、前記厚さ方向に視て前記アイランド部に重なる第２部と、を有している。前記封止樹脂は、前記第２部が前記第１部よりも赤外線の透過率が高くなるように構成されている。