METHOD FOR PRODUCING A BURIED-LAYER LAYER STRUCTURE, AND CORRESPONDING BURIED-LAYER LAYER STRUCTURE

• Main Authors: SCHWARZ, Mike, WEBER, Heribert
• Format: Patent
• Language: English; French; German
• Published: 28.04.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Die Erfindung schafft ein Verfahren zum Herstellen einer Buried-Layer-Schichtstruktur und eine entsprechende Buried-Layer-Schichtstruktur. Das Verfahren weist die Schritte auf: Bereitstellen eines monokristallinen Substrats (S) eines ersten Leitungstyps (n) aus einem Substratmaterial, welches eine Oberseite (O) und eine Unterseite (U) aufweist; Bilden wenigstens einer Vertiefung (V) in der Oberseite (O) oder in einer Rahmenstruktur (MS) auf der Oberseite (O) des monokristallinen Substrats (S), welche wenigstens einen Wandbereich (W) und einen Boden (B) aufweist, wobei das monokristalline Substrat (S) zumindest am Boden (B) der wenigstens einen Vertiefung (V) freiliegt; Bilden einer ersten Schicht (P1) eines zweiten Leitungstyps (p) aus dem Substratmaterial in der wenigstens einen Vertiefung (V) und einem Peripheriebereich der wenigstens einen Vertiefung (V), welche zumindest auf der freiliegenden Oberseite (O) des monokristallinen Substrats (S) am Boden (B) der Vertiefung (V) monokristallin gebildet wird; epitaktisches Aufwachsen mindestens einer ersten Schicht (N1) des ersten Leitungstyps (n) aus dem Substratmaterial auf der ersten Schicht (P1) des zweiten Leitungstyps (p), welche auf dem monokristallinen Bereich der ersten Schicht (P1) monokristallin aufwächst, zum zumindest bereichsweisen Auffüllen der Vertiefung (V); Rückdünnen der resultierenden Struktur, so dass die erste Schicht (P1) des zweiten Leitungstyps (p) eine erste Buried- Layer bildet und die erste Schicht (N1) des ersten Leitungstyps (n) einen ersten Bildungsbereich für integrierte Schaltungselemente (SE1) bildet, der zumindest bereichsweise wannenförmig von der ersten Buried-Layer-Schichtstruktur umgeben ist. The invention relates to a method for producing a buried-layer layer structure and to a corresponding buried-layer layer structure. The method comprises the steps of: providing a monocrystalline substrate (S) of a first conduction type (n), which is made of a substrate material and has an upper face (O) and a lower face (U); forming at least one recess (V) in the upper face (O) or in a frame structure (MS) on the upper face (O) of the monocrystalline substrate (S), which recess has at least one wall region (W) and a bottom (B), the monocrystalline substrate (S) being exposed at least on the bottom (B) of the at least one recess (V); forming a first layer (P1) of a second conduction type (p), which is made of the substrate material, in the at least one recess (V) and in a peripheral region of the at least one recess (V), which first layer of the second conduction type is formed, at least on the exposed upper face (O) of the monocrystalline substrate (S) on the bottom (B) of the recess (V), as a monocrystal; epitaxially growing at least one first layer (N1) of the first conduction type (n), which is made of the substrate material, on the first layer (P1) of the second conduction type (p) in order to at least partially fill the recess (V), which first layer of the first conduction type grows, on the monocrystalline region of the first layer (P1), as a monocrystal; back-thinning the resulting structure, such that the first layer (P1) of the second conduction type (p) forms a first buried layer and the first layer (N1) of the first conduction type (n) forms a first formation region for integrated circuit elements (SE1) which is at least partially surrounded by the first buried-layer layer structure in the shape of a trough. L'invention concerne un procédé de production d'une structure de couche de type couche enterrée et une structure de couche de type couche enterrée correspondante. Ledit procédé comprend les étapes consistant à : prendre un substrat monocristallin (S) d'un premier type de conduction (n) formé d'un matériau de substrat qui présente une face supérieure (O) et une face inférieure (U) ; former au moins un évidement (V) dans la face supérieure (O) ou dans une structure formant cadre (MS) sur la face supérieure (O) du substrat monocristallin (S), qui comporte au moins une zone de paroi (W) et un fond (B), le substrat monocristallin (S) étant dégagé au moins au niveau du fond (B) dudit au moins un évidement (V) ; former une première couche (P1) d'un second type de conduction (p) à partir du matériau de substrat dans ledit au moins un évidement (V) et dans une zone périphérique dudit au moins un évidement (V), qui est produite sous forme monocristalline au moins sur la face supérieure dégagée (O) du substrat monocristallin (S) au niveau du fond (B) de l'évidement (V) ; faire croître par épitaxie au moins une première couche (N1) du premier type de conduction (n) à partir du matériau de substrat sur la première couche (P1) du second type de conduction (p), laquelle croît sous forme monocristalline sur la zone monocristalline de la première couche (P1), en vue de remplir au moins partiellement ledit évidement (V) ; planariser la structure obtenue, de sorte que la première couche (P1) du second type de conduction (p) forme une première couche enterrée et la première couche (N1) du premier type de conduction (n) forme une première zone de formation pour des éléments de circuit intégré (SE1), qui est entourée par la première structure de couche de type couche enterrée au moins par endroits sous la forme d'une cuvette.