THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATION THEREOF

• Main Authors: GENG, Wanbo, XUE, Lei, GAO, Tingting, LIU, Xiaoxin
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 28.04.2022
• Subjects: ELECTRICITY

A method for manufacturing a semiconductor device is provided. A channel hole(341) is formed through a stack over a substrate(10) of the semiconductor device. A sidewall(240) of the channel hole(341) extends along a vertical direction perpendicular to the substrate(10). A gate dielectric structure(230), a channel layer(306), and a dielectric structure(304) that extend along the vertical direction are formed in the channel hole(341). The gate dielectric structure(230) can be formed along the sidewall(240) of the channel hole(341), and the dielectric structure(304) can be formed over the channel layer(306). The channel layer(306) can be separated into channel layer sections(206A-206D) to form a channel structure(18) that includes the gate dielectric structure(230) and the channel layer sections (206A-206D) for respective strings of transistors. Procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur. Un trou de canal (341) est formé à travers un empilement sur un substrat (10) du dispositif à semi-conducteur. Une paroi latérale (240) du trou de canal (341) s'étend le long d'une direction verticale perpendiculaire au substrat (10). Une structure diélectrique de grille (230), une couche de canal (306) et une structure diélectrique (304) qui s'étendent le long de la direction verticale sont formées dans le trou de canal (341). La structure diélectrique de grille (230) peut être formée le long de la paroi latérale (240) du trou de canal (341), et la structure diélectrique (304) peut être formée par-dessus la couche de canal (306). La couche de canal (306) peut être séparée en sections de couche de canal (206A-206D) pour former une structure de canal (18) qui comprend la structure diélectrique de grille (230) et les sections de couche de canal (206A-206D) pour des chaînes respectives de transistors.