JUNCTION-ISOLATED SEMICONDUCTOR STRAIN GAUGE

• Main Authors: ZWIJZE, Robert, HUO, Shihong, SLOETJES, Jan-Willem, MCKELLAR, Robert, KLAASSE, Gerard
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 07.04.2022
• Subjects: INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT; MEASURING; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER,MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS; MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEARDIMENSIONS; MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION,OR SHOCK; PHYSICS; TESTING

Apparatuses that include a junction-isolated semiconductor strain gauge and methods for manufacturing a junction-isolated semiconductor strain gauge are disclosed. In a particular embodiment, an apparatus comprises a silicon chip that includes a silicon substrate and a semiconductor strain gauge. In this embodiment, the semiconductor strain gauge includes a plurality of resistors formed by locally doping the silicon substrate and biasing the silicon substrate such that the resistors of the plurality of resistors are junction-isolated. The silicon chip also includes a field shield layer to isolate an output signal of the semiconductor strain gauge from external electrical fields. L'invention concerne des appareils comprenant une jauge extensométrique à semi-conducteur à isolement par jonction et des procédés de fabrication d'une jauge extensométrique à semi-conducteur à isolement par jonction. Dans un mode de réalisation particulier, un appareil comprend une puce de silicium qui inclut un substrat de silicium et une jauge extensométrique à semi-conducteur. Dans ce mode de réalisation, la jauge extensométrique à semi-conducteur comprend une pluralité de résistances formées en dopant localement le substrat de silicium et en polarisant le substrat de silicium de sorte que les résistances de la pluralité de résistances soient isolées par jonction. La puce de silicium comprend également une couche de blindage de champ pour isoler un signal de sortie de la jauge extensométrique à semi-conducteur des champs électriques externes.