RESIST UNDERLAYER FILM FORMING COMPOSITION CONTAINING TERMINALLY BLOCKED REACTION PRODUCT

• Main Authors: SHIMIZU Shou, TAMURA Mamoru, HIROHARA Tomotada
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 07.04.2022
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; CHEMISTRY; CINEMATOGRAPHY; COMPOSITIONS BASED THEREON; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONSONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS; MATERIALS THEREFOR; METALLURGY; ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP

The present invention provides: a composition for forming a resist underlayer film that enables the formation of a desired resist pattern; a method for producing a resist pattern, said method using the composition for forming a resist underlayer film; and a method for producing a semiconductor device. A resist underlayer film forming composition which contains an organic solvent and a polymer that has an end blocked with a compound (A), wherein: the polymer is derived from a compound (B) that is represented by formula (11). (In formula (11), Y1 represents a single bond, an oxygen atom, a sulfur atom, an alkylene group having from 1 to 10 carbon atoms, said alkylene group being optionally substituted by a halogen atom or an aryl group having from 6 to 40 carbon atoms, or a sulfonyl group; each of T1 and T2 represents an alkyl group having from 1 to 10 carbon atoms; and each of n1 and n2 independently represents an integer from 0 to 4.) La présente invention concerne : une composition pour former un film de sous-couche de réserve qui permet la formation d'un motif de réserve souhaité ; un procédé de production d'un motif de réserve, ledit procédé utilisant la composition pour former un film de sous-couche de réserve ; et un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur. L'invention porte sur une composition de formation de film de sous-couche de réserve qui contient un solvant organique et un polymère qui a une extrémité bloquée avec un composé (A), le polymère étant dérivé d'un composé (B) qui est représenté par la formule (11). (Dans la formule (11), Y1représente une liaison simple, un atome d'oxygène, un atome de soufre, un groupe alkylène ayant de 1 à 10 atomes de carbone, ledit groupe alkylène étant éventuellement substitué par un atome d'halogène ou un groupe aryle ayant de 6 à 40 atomes de carbone, ou un groupe sulfonyle ; chacun de T1 et T2 représente un groupe alkyle ayant de 1 à 10 atomes de carbone ; et chacun de n1 et n2 représente indépendamment un nombre entier de 0 à 4.) 所望のレジストパターンを形成できるレジスト下層膜を形成するための組成物、及び該レジスト下層膜形成組成物を用いたレジストパターン製造方法、半導体装置の製造方法を提供する。末端が化合物（Ａ）で封止されたポリマー、及び有機溶剤を含む、レジスト下層膜形成組成物であって、前記ポリマーが、下記式（１１）： （式（１１）中、Ｙ１は単結合、酸素原子、硫黄原子、ハロゲン原子若しくは炭素原子数６～４０のアリール基で置換されてもよい炭素原子数１～１０のアルキレン基又はスルホニル基を表し、Ｔ１及びＴ２は炭素原子数１～１０のアルキル基を表し、ｎ１及びｎ２は各々独立して０～４の整数を表す）で表される化合物（Ｂ）から誘導されるポリマーである。