ANALYSIS SYSTEM

• Main Authors: SHIDARA, Takashi, KONNO, Azusa, KIRIHATA, Daiji, MISE, Hiromi, FUJIMURA, Ichiro
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 31.03.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; MEASURING; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS; MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEARDIMENSIONS; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES; TESTING

The present invention rapidly and highly accurately acquires depth information for a multilayered structure. This analysis system comprises: (a) a step of acquiring a first imaged image of a multilayered structure-including sample SAM as viewed from a first direction, by irradiating the sample SAM from the first direction with an electron beam EB1; (b) a step of acquiring a second imaged image of the sample SAM as viewed from a second direction that intersects the first direction, by irradiating the sample SAM from the second direction with the electron beam EB1; and (c) a step of acquiring depth information for the multilayered structure, using sample SAM information that includes the first imaged image, the second imaged image, the number of layers in the multilayered structure, the thickness of one layer of the multilayered structure or the thicknesses of each layer of the same, and the depth at which the first layer of the multilayered structure begins. La présente invention acquiert rapidement et avec une précision élevée des informations de profondeur pour une structure multicouche. Le système d'analyse comprend : (a) une étape consistant à acquérir une première image imagée d'un échantillon SAM comprenant une structure multicouche tel qu'observé depuis une première direction, par l'irradiation de l'échantillon SAM depuis la première direction avec un faisceau d'électrons EB1 ; (b) une étape consistant à acquérir une seconde image imagée de l'échantillon SAM telle qu'observée depuis une seconde direction qui croise la première direction, par l'irradiation de l'échantillon SAM depuis la seconde direction avec le faisceau d'électrons EB1 ; et (c) une étape consistant à acquérir des informations de profondeur pour la structure multicouche, à l'aide d'informations d'échantillon SAM qui comprennent la première image imagée, la seconde image imagée, le nombre de couches dans la structure multicouche, l'épaisseur d'une couche de la structure multicouche ou les épaisseurs de chaque couche de celle-ci, et la profondeur à laquelle la première couche de la structure multicouche débute. 多層構造の深さ情報を、迅速、且つ、高精度に取得する。解析システムは、（ａ）多層構造を含む試料ＳＡＭに対して第１方向から電子線ＥＢ１を照射することで、第１方向から見た試料ＳＡＭの第１撮影像を取得するステップ、（ｂ）試料ＳＡＭに対して第１方向と交差する第２方向から電子線ＥＢ１を照射することで、第２方向から見た試料ＳＡＭの第２撮影像を取得するステップ、（ｃ）第１撮影像と、第２撮影像と、多層構造の層数、多層構造の１層の厚さまたは各層の厚さ、および、多層構造の１層目が始まる深さを含む試料ＳＡＭの情報とを用いて、多層構造の深さ情報を取得するステップ、を備える。