SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, RECORDING MEDIUM, AND SUBSTRATE PROCESSING DEVICE

• Main Authors: OGAWA, Arito, KURIBAYASHI, Koei
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 31.03.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

The present invention can improve the surface roughness of a molybdenum-including film, while suppressing diffusion from an underlayer.　The present invention has: (a) a step in which a substrate is accommodated in a processing container; (b) a step in which the substrate is heated to 445°C to 505°C; (c) a step in which a molybdenum-including gas is supplied to the substrate; and (d) a step in which a reducing gas is supplied to the substrate, wherein (e) a molybdenum-including film is formed on the substrate by performing (c) and (d) one or more times after (b). La présente invention peut améliorer la rugosité de surface d'un film comprenant du molybdène, tout en supprimant la diffusion à partir d'une sous-couche.　La présente invention comporte : (a) une étape dans laquelle un substrat est reçu dans un récipient de traitement ; (b) une étape dans laquelle le substrat est chauffé de 445 °C à 505 °C ; (c) une étape dans laquelle un gaz contenant du molybdène est fourni au substrat ; et (d) une étape dans laquelle un gaz réducteur est fourni au substrat, (e) un film comprenant du molybdène étant formé sur le substrat par réalisation de (c) et (d) une ou plusieurs fois après (b). モリブデン含有膜の表面ラフネスを改善しつつ、下地からの拡散を抑制することができる。　（ａ）基板を処理容器に収容する工程と、（ｂ）基板を４４５℃以上５０５℃以下に加熱する工程と、（ｃ）基板に対してモリブデン含有ガスを供給する工程と、（ｄ）基板に対して還元ガスを供給する工程と、を有し、（ｅ）（ｂ）の後、（ｃ）と（ｄ）とを１回以上行うことにより、基板上にモリブデン含有膜を形成する。