METHOD FOR PRODUCING SUBSTRATE MATERIAL FOR SEMICONDUCTOR PACKAGES, PREPREG, AND SUBSTRATE MATERIAL FOR SEMICONDUCTOR PACKAGES

The present invention discloses a method for producing a substrate material for semiconductor packages, said method comprising a step wherein the temperature of a multilayer body, which comprises a metal foil, one or more sheets of a prepreg, and another metal foil sequentially stacked in this order...

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Main Authors MITSUKURA Kazuyuki, FUJITA Hiroaki, OTAKE Shunsuke, SHIMAOKA Shinji, TAKAHASHI Masaki
Format Patent
LanguageEnglish
French
Japanese
Published 24.03.2022
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Summary:The present invention discloses a method for producing a substrate material for semiconductor packages, said method comprising a step wherein the temperature of a multilayer body, which comprises a metal foil, one or more sheets of a prepreg, and another metal foil sequentially stacked in this order, is increased to a hot pressing temperature, while applying a pressure to the multilayer body. The prepreg contains an inorganic fiber base material and a thermosetting resin composition. The content of the thermosetting resin composition is from 40% by mass to 80% by mass based on the mass of the prepreg. In the step wherein the temperature of the multilayer body is increased to a hot pressing temperature, while applying a pressure to the multilayer body, the multilayer body is heated under such conditions that the minimum melt viscosity of the prepreg is 5,000 Pa·s or less. La présente invention concerne un procédé de production d'un matériau de substrat pour des boîtiers de semi-conducteur, ledit procédé comprenant une étape dans laquelle la température d'un corps multicouche, qui comprend une feuille métallique, une ou plusieurs feuilles d'un préimprégné, et une autre feuille métallique empilées séquentiellement dans cet ordre, est augmentée jusqu'à une température de pressage à chaud, tout en appliquant une pression sur le corps multicouche. Le préimprégné contient un matériau de base de fibre inorganique et une composition de résine thermodurcissable. La teneur de la composition de résine thermodurcissable est de 40 % en masse à 80 % en masse sur la base de la masse du préimprégné. Dans l'étape dans laquelle la température du corps multicouche est augmentée à une température de pressage à chaud, tout en appliquant une pression sur le corps multicouche, le corps multicouche est chauffé dans des conditions telles que la viscosité à l'état fondu minimale du préimprégné est inférieure ou égale à 5000 Pa·s. 金属箔、1枚以上のプリプレグ、及び金属箔を有し、これらがこの順で積層された積層体の温度を、前記積層体を加圧しながら熱プレス温度まで上昇させる工程を含む、半導体パッケージ用基板材料を製造する方法が開示される。プリプレグが、無機繊維基材及び熱硬化性樹脂組成物を含む。熱硬化性樹脂組成物の含有量が、プリプレグの質量を基準として40~80質量%である。積層体の温度を積層体を加圧しながら熱プレス温度まで上昇させる工程において、プリプレグの最低溶融粘度が5000Pa・s以下となる条件で積層体が加熱される。
Bibliography:Application Number: WO2020JP35462