CHANNEL STRUCTURES HAVING PROTRUDING PORTIONS IN THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

• Main Authors: GENG, Wanbo, XUE, Lei, GAO, Tingting, LIU, Xiaoxin
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 24.03.2022
• Subjects: ELECTRICITY

A three-dimensional (3D) memory device includes a substrate (102), a memory stack (104) disposed on the substrate (102) and including a plurality of interleaved conductive layers (106) and dielectric layers (108), and a plurality of channel structures (110) each extending vertically through the memory stack (104) and having a plurality of protruding portions (113) abutting the conductive layers (106) and a plurality of normal portions (115) abutting the dielectric layers (108). Each of the plurality of channel structures (110) includes a blocking layer (116) along a sidewall of the channel structure (110), and a storage layer (118) over the blocking layer (116). The storage layer (118) includes a plurality of charge trapping structures (118A) in the protruding portions (113) of the channel structure (110), and a plurality of protecting structures (118B) in the normal portions (115) of the channel structure (110) and connecting the plurality of charge trapping structures (118A). L'invention concerne un dispositif de mémoire tridimensionnel (3D) comprenant un substrat (102), un empilement de mémoire (104) disposé sur le substrat (102) et comprenant une pluralité de couches conductrices entrelacées (106) et des couches diélectriques (108), et une pluralité de structures de canal (110) s'étendant chacune verticalement à travers l'empilement de mémoire (104) et ayant une pluralité de parties saillantes (113) venant en butée contre les couches conductrices (106) et une pluralité de parties normales (115) venant en butée contre les couches diélectriques (108). Chacune de la pluralité de structures de canal (110) comprend une couche de blocage (116) le long d'une paroi latérale de la structure de canal (110), et une couche de stockage (118) sur la couche de blocage (116). La couche de stockage (118) comprend une pluralité de structures de piégeage de charges (118A) dans les parties saillantes (113) de la structure de canal (110), et une pluralité de structures de protection (118B) dans les parties normales (115) de la structure de canal (110) et reliant la pluralité de structures de piégeage de charge (118A).