SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND ELECTRONIC APPARATUS

• Main Authors: FUJIWARA Atsushi, IWAFUCHI Toshiaki
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 10.03.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present technology relates to a semiconductor device comprising an underfill resin and a light-shield resin and achieving a decrease in device size, a method for manufacturing the same, and an electronic apparatus. The semiconductor device comprises a substrate having a pixel region in which a plurality of pixels are arranged, and one or more chips flip-chip bonded to the substrate with connection terminals therebetween. A back surface of the chip is protected by a first resin, and a side surface of the chip is protected by a second resin, the first and second resins comprising different materials. The present technology may be applied to a semiconductor device, for example, in which an image sensor chip and a signal processing chip are flip-chip bonded together. La présente technologie concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant une résine de remplissage sous-jacent et une résine de protection contre la lumière et permettant d'obtenir une diminution de la taille du dispositif, un procédé de fabrication de celui-ci, et un appareil électronique. Le dispositif à semi-conducteur comprend un substrat ayant une région de pixel dans laquelle une pluralité de pixels sont agencés, et une ou plusieurs puces à protubérances liées au substrat avec des bornes de connexion entre celles-ci. Une surface arrière de la puce est protégée par une première résine, et une surface latérale de la puce est protégée par une seconde résine, les première et seconde résines comprenant différents matériaux. La présente technologie peut être appliquée à un dispositif à semi-conducteur, par exemple, dans lequel une puce de capteur d'image et une puce de traitement de signal sont liées par billes ensemble. 本技術は、アンダーフィル樹脂と遮光樹脂を備え、装置サイズの小型化に貢献できるようにする半導体装置およびその製造方法、並びに電子機器に関する。 半導体装置は、複数の画素が配置された画素領域を有する基板と、基板に接続端子を介してフリップチップ接合された１以上のチップとを備え、チップの裏面を保護する第１の樹脂と、チップの側面を保護する第２の樹脂の材料が異なる材料である。本技術は、例えば、イメージセンサチップと信号処理チップとをフリップチップ接合する半導体装置等に適用できる。