GLASS ARTICLE

Provided is a glass article that has excellent heat resistance and is less susceptible to separation of layers disposed on a glass substrate and formation of cracks therein even after a long time from molding at a high temperature. This glass article has a carbon-doped silicon oxide layer (2), a tra...

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Main Authors KAWAMOTO Yasushi, YAMAKAWA Hiroshi, HIRAKOSO Hideyuki
Format Patent
LanguageEnglish
French
Japanese
Published 10.03.2022
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Summary:Provided is a glass article that has excellent heat resistance and is less susceptible to separation of layers disposed on a glass substrate and formation of cracks therein even after a long time from molding at a high temperature. This glass article has a carbon-doped silicon oxide layer (2), a transparent conductive oxide layer (3), and a shielding layer (4) in the stated order on a glass substrate (1). The ratio C/Si in atomic percentages of carbon to silicon in the carbon-doped silicon oxide layer (2) is 0.1-0.5. The linear expansion coefficient αSh of the shielding layer is 7.7×10-3/K or less. La présente invention concerne un article en verre qui présente une excellente résistance à la chaleur et qui est moins susceptible de séparation des couches disposées sur un substrat en verre et de formation de fissures à l'intérieur même après une longue durée de moulage à une température élevée. Cet article en verre présente une couche d'oxyde de silicium dopée au carbone (2), une couche d'oxyde conducteur transparente (3), et une couche de protection (4) dans l'ordre indiqué sur un substrat en verre (1). Le rapport C/Si en pourcentages atomiques du carbone au silicium dans la couche d'oxyde de silicium dopée au carbone (2) est de 0,1 à 0,5. Le coefficient d'expansion linéaire αSh de la couche de protection est de 7,7 x 10-3/K ou moins. 高温での成形後、長期間経過した後であっても、ガラス基板上に配された各層の剥離やクラックの発生が抑制できる、耐熱性に優れたガラス物品を提供する。 本発明に係るガラス物品は、ガラス基板(1)上に、炭素添加シリコン酸化物層(2)と、透明導電性酸化物層(3)と、遮蔽層(4)とを、この順に有し、前記炭素添加シリコン酸化物層(2)における、ケイ素に対する炭素の原子組成百分率の比C/Siは、0.1以上、0.5以下であり、前記遮蔽層の線膨張係数αShは、7.7×10-3/K以下である。
Bibliography:Application Number: WO2021JP30404