PELLICLE, ORIGINAL PLATE FOR LIGHT EXPOSURE, LIGHT EXPOSURE DEVICE, METHOD FOR PRODUCING PELLICLE, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: OKUBO, Atsushi, ONO, Yousuke, KOHMURA, Kazuo
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 10.02.2022
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; CHEMISTRY; CINEMATOGRAPHY; COMPOUNDS THEREOF; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; INORGANIC CHEMISTRY; MATERIALS THEREFOR; METALLURGY; NON-METALLIC ELEMENTS; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS

The present invention addresses the problem of providing: a pellicle which is capable of suppressing deterioration of a pellicle film; and an original plate for light exposure.　This pellicle comprises a pellicle film (12) which comprises a carbon-based film having a carbon content of 40% by mass or more, a support frame (14) which supports the pellicle film (12), and an adhesive layer (15) which contains an adhesive, wherein the total amount of aqueous outgases is 5.0 × 10-4 Pa·L/sec or less in an atmosphere at 23°C at 1 × 10-3 Pa or less. La présente invention aborde le problème consistant à fournir : une pellicule qui est capable de supprimer la détérioration d'un film de pellicule ; et une plaque originale pour une exposition à la lumière.　Cette pellicule comprend un film de pellicule (12) qui comprend un film à base de carbone ayant une teneur en carbone de 40 % en masse ou plus, un cadre de support (14) qui supporte le film de pellicule (12), et une couche adhésive (15) qui contient un adhésif, la quantité totale d'émissions de gaz aqueux étant de 5,0 × 10-4 Pa·L/sec ou moins dans une atmosphère à 23 °C à 1 × 10-3 Pa ou moins. ペリクル膜の劣化を抑制できるペリクル、及び露光原版を提供することを課題とする。　ペリクルは、炭素含有率が４０質量％以上である炭素系の膜を含むペリクル膜（１２）と、ペリクル膜（１２）を支持する支持枠（１４）と、接着剤を含有する接着剤層（１５）と、を含み、２３℃、１×１０－３Ｐａ以下の雰囲気において、水系のアウトガスの合計量が５．０×１０－４Ｐａ・Ｌ／ｓｅｃ以下である。