MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR ELEMENT, SEMICONDUCTOR ELEMENT AND SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: SAWADA, Tatsuro, KASAI, Hayao, HIRAYAMA, Tomohisa, AZUMA, Katsunori
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 03.02.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

This method for manufacturing a semiconductor element comprises: a first step for providing ,on a surface (11a) of a substrate (11), a mask (21) having an opening (22); a second step for growing a GaN layer (32) by epitaxially growing a semiconductor along the mask (21) from the surface (11a) exposed through the opening (22); and a third step for growing a GaN layer (33). The mask (21) contains an element that becomes a donor in the GaN layer (32); GaN layer (32) is a p+ type semiconductor layer; and GaN layer (33) is a n- type semiconductor layer. Ce procédé de fabrication d'un élément semi-conducteur comprend : une première étape de fourniture, sur une surface (11a) d'un substrat (11), d'un masque (21) présentant une ouverture (22) ; une deuxième étape de croissance d'une couche de GaN (32) par croissance épitaxiale d'un semi-conducteur le long du masque (21) depuis la surface (11a) exposée à travers l'ouverture (22) ; et une troisième étape de croissance d'une couche de GaN (33). Le masque (21) contient un élément qui devient un donneur dans la couche de GaN (32) ; la couche de GaN (32) est une couche semi-conductrice de type p + ; et la couche de GaN (33) est une couche semi-conductrice de type n. 半導体素子の製造方法は、基板（１１）の表面（１１ａ）に、開口（２２）を有するマスク（２１）を設ける第１工程と、開口（２２）から露出する表面（１１ａ）から、マスク（２１）に沿って半導体をエピタキシャル成長させ、ＧａＮ層（３２）を成長する第２工程と、ＧａＮ層（３３）を成長する第３工程と、を含む。マスク（２１）は、ＧａＮ層（３２）におけるドナーとなる元素を含み、ＧａＮ層（３２）は、ｐ＋型半導体層であり、ＧａＮ層（３３）は、ｎ－型半導体層である。