LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPOUND AND PRODUCTION METHOD THEREFOR

A compound having a perovskite crystal structure having A, B, and X as constituent components thereof (in the perovskite crystal structure, A is a monovalent positive ion and a component positioned at each vertex of a hexahedron centered on B; B is a metal ion and a component that is at the center o...

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Main Authors SUGIUCHI, Mizuho, NAITO, Shota
Format Patent
LanguageEnglish
French
Japanese
Published 03.02.2022
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Summary:A compound having a perovskite crystal structure having A, B, and X as constituent components thereof (in the perovskite crystal structure, A is a monovalent positive ion and a component positioned at each vertex of a hexahedron centered on B; B is a metal ion and a component that is at the center of a hexahedron having A positioned at the vertices thereof and an octahedron having X positioned at the vertices thereof; X is a component positioned at each vertex of an octahedron and is at least one type of negative ion selected from the group consisting of a halogen compound ion and a thiocyanate ion). The compound has a primary particle size of 100 nm - 1.0 μm and shows a peak for a Miller index (110) plane having a half width of 0.10-0.30°, in an X-ray diffraction pattern. L'invention concerne un composé ayant une structure cristalline de pérovskite ayant A, B et X comme composants constitutifs de celui-ci (dans la structure cristalline de pérovskite, A est un ion positif monovalent et un composant positionné au niveau de chaque sommet d'un hexaèdre centré en B ; B est un ion métallique et un composant qui est au centre d'un hexaèdre ayant A positionné au niveau des sommets de celui-ci et un octaèdre ayant X positionné au niveau des sommets de celui-ci ; X est un composant positionné au niveau de chaque sommet d'un octaèdre et est au moins un type d'ion négatif choisi dans le groupe constitué par un ion composé halogéné et un ion thiocyanate). Le composé a une taille de particule primaire de 100 nm à 1,0 µm et présente un pic pour un plan d'indice de Miller (110) ayant une demi-largeur de 0,10 à 0,30°, dans un motif de diffraction de rayons X. A、B、及びXを構成成分とするペロブスカイト型結晶構造[ペロブスカイト型結晶構造において、AはBを中心とする6面体の各頂点に位置する成分であって、1価の陽イオンであり、BはAを頂点に配置する6面体、及びXを頂点に配置する8面体の中心に位置する成分であって、金属イオンであり、XはBを中心とする8面体の各頂点に位置する成分であって、ハロゲン化物イオン、及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる少なくとも一種の陰イオンである。]を有する化合物であって、該化合物は、100nm~1.0μmの一次粒子の粒子径を有し、X線回折パターンにおいて、半値幅0.10°~0.30°のミラー指数(110)面のピークを示す、化合物。
Bibliography:Application Number: WO2021JP26750