THIN FILM TRANSISTOR ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

• Main Authors: MANABE, Takao, IDE, Masahito, YOSHIMOTO, Hiroshi, INARI, Hirofumi
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 27.01.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

This thin film transistor element comprises a gate layer (31), an oxide semiconductor thin film (4), a gate insulating film (2) arranged between the gate layer and the oxide semiconductor thin film, a pair of source and drain electrodes (51, 52) in contact with the oxide semiconductor thin film, and a resin film (6) that covers the oxide semiconductor thin film. The oxide semiconductor thin film contains two or more metal elements selected from the group consisting of In, Ga, Zn, and Sn. After a composition containing an SiH-group-containing compound is applied to the oxide semiconductor thin film, the resin film is formed by heating. The heating temperature during resin film formation is preferably 190-450°C. The SiH-group-containing compound in the composition preferably contains 0.1 mmol/g or more of SiH groups. The resin film may also have SiH groups. Élément de transistor à film mince comprenant une couche de grille (31), un film mince semi-conducteur à oxyde (4), un film d'isolation de grille (2) disposé entre la couche de grille et le film mince semi-conducteur à oxyde, une paire d'électrodes de source et de drain (51, 52) en contact avec le film mince semi-conducteur à oxyde et un film de résine (6) qui recouvre le film mince semi-conducteur à oxyde. Le film mince semi-conducteur à oxyde contient deux éléments métalliques ou plus choisis dans le groupe constitué par In, Ga, Zn et Sn. Après application d'une composition contenant un composé contenant un groupe SiH sur le film mince semi-conducteur à oxyde, le film de résine est formé par chauffage. La température de chauffage pendant la formation de film de résine est de préférence de 190 à 450 °C. Le composé contenant un groupe SiH dans la composition contient de préférence 0,1 mmol/g ou plus de groupes SiH. Le film de résine peut également comporter des groupes SiH. 薄膜トランジスタ素子は、ゲート層（３１）、酸化物半導体薄膜（４）、ゲート層と酸化物半導体薄膜との間に配置されたゲート絶縁膜（２）、酸化物半導体薄膜に接する一対のソース・ドレイン電極（５１，５２）、および酸化物半導体薄膜を覆う樹脂膜（６）を備える。酸化物半導体薄膜は、Ｉｎ，Ｇａ，ＺｎおよびＳｎからなる群から選択される２種以上の金属元素を含む。酸化物半導体薄膜上に、ＳｉＨ基含有化合物を含む組成物を塗布した後、加熱することにより樹脂膜が形成される。樹脂膜形成時の加熱温度は１９０～４５０℃が好ましい。組成物におけるＳｉＨ基含有化合物は、０．１ｍｍｏｌ／ｇ以上のＳｉＨ基を含むことが好ましい。樹脂膜はＳｉＨ基を有していてもよい。