METHODS AND SYSTEMS FOR IMPROVING ACCESS TO MEMORY CELLS

• Main Authors: DI VINCENZO, Umberto, BEDESCHI, Ferdinando, MUZZETTO, Riccardo
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 20.01.2022
• Subjects: CALCULATING; COMPUTING; COUNTING; ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING; INFORMATION STORAGE; PHYSICS; STATIC STORES

The present disclosure relates a method for an improved accessing operation of memory cells, the method comprising storing a set of user data and additional data information in a plurality of memory cells of a memory array, the additional data information being representative of a voltage difference between a first threshold voltage and a second threshold voltage of the memory cells of the set of user data programmed to a first logic state, wherein the first threshold voltage is a voltage to activate a preset number of memory cells programmed to the first logic state, and wherein the second threshold voltage is a voltage to activate memory cells programmed to the first logic state having a threshold voltage whose magnitude is higher than the first threshold voltage and is based on the statistical distribution of the threshold voltages of the memory cells of the set of user data. La présente divulgation concerne un procédé pour une opération d'accès amélioré à des cellules de mémoire, le procédé comprenant le stockage d'un ensemble de données d'utilisateur et d'informations de données supplémentaires dans une pluralité de cellules de mémoire d'un réseau de mémoire, les informations de données supplémentaires étant représentatives d'une différence de tension entre une première tension seuil et une seconde tension seuil des cellules de mémoire de l'ensemble de données d'utilisateur programmées dans un premier état logique, la première tension seuil étant une tension pour activer un nombre prédéfini de cellules de mémoire programmées au premier état logique, et la seconde tension seuil étant une tension pour activer des cellules de mémoire programmées au premier état logique présentant une tension seuil dont l'amplitude est supérieure à la première tension seuil et étant basée sur la distribution statistique des tensions seuils des cellules de mémoire de l'ensemble de données d'utilisateur.