METHODS OF FORMING MICROELECTRONIC DEVICES, AND RELATED MICROELECTRONIC DEVICES AND ELECTRONIC SYSTEMS

A method of forming a microelectronic device comprises forming a stack structure. Pillar structures are formed to vertically extend through the stack structure. At least one trench and additional trenches are formed to substantially vertically extend through the stack structure. Each of the addition...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors MANTHENA, Raja Kumar Varma, CHANDOLU, Anilkumar
Format Patent
LanguageEnglish
French
Published 13.01.2022
Subjects
Online AccessGet full text

Cover

Loading…
More Information
Summary:A method of forming a microelectronic device comprises forming a stack structure. Pillar structures are formed to vertically extend through the stack structure. At least one trench and additional trenches are formed to substantially vertically extend through the stack structure. Each of the additional trenches comprises a first portion having a first width, and a second portion at a horizontal boundary of the first portion and having a second width greater than the first width. A dielectric structure is formed within the at least one trench and the additional trenches. The dielectric structure comprises at least one angled portion proximate the horizontal boundary of the first portion of at least some of the additional trenches. The at least one angled portion extends at an acute angle to each of a first direction and a second direction transverse to the first direction. Microelectronic devices and electronic systems are also described. L'invention concerne un procédé de formation d'un dispositif microélectronique comprenant la formation d'une structure d'empilement. Des structures de pilier sont formées pour s'étendre verticalement à travers la structure d'empilement. Au moins une tranchée et des tranchées supplémentaires sont formées pour s'étendre sensiblement verticalement à travers la structure d'empilement. Chacune des tranchées supplémentaires comprend une première partie ayant une première largeur et une seconde partie au niveau d'une limite horizontale de la première partie et ayant une seconde largeur plus grande que la première largeur. Une structure diélectrique est formée au sein de l'au moins une tranchée et des tranchées supplémentaires. La structure diélectrique comprend au moins une partie inclinée à proximité de la limite horizontale de la première partie d'au moins certaines des tranchées supplémentaires. L'au moins une partie inclinée s'étend selon un angle aigu par rapport à chacune d'une première direction et d'une seconde direction transversale à la première direction. La présente invention concerne également des dispositifs microélectroniques et des systèmes électroniques.
Bibliography:Application Number: WO2021US37096