FILM-FORMING DEVICE AND FILM-FORMING METHOD

• Main Authors: KIKUCHI, Takamichi, YAMAWAKU, Jun, MATSUDO, Tatsuo
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 13.01.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

A method for forming a metal titanium film on a substrate, comprising a process of forming a metal titanium film by an atomic layer deposition (plasma ALD) method including alternate implementation of an adsorption step in which a raw material gas is supplied into a processing container in which a substrate is housed and the raw material gas is adsorbed on the surface of the substrate, and a reaction step in which a reaction gas is supplied into the processing container, the reaction gas is converted into plasma, and the reaction gas converted into plasma is reacted with the raw material gas adsorbed on the surface of the substrate, wherein in the reaction step, the reaction gas is converted into plasma by using high-frequency power having a frequency of 38-60 MHz. L'invention concerne un procédé de formation d'un film de titane métallique sur un substrat, comprenant un processus de formation d'un film de titane métallique par un procédé de dépôt de couches atomiques (plasma ALD) consistant à mettre en oeuvre, de façon alternée, une étape d'adsorption dans laquelle un gaz de matière première est acheminé dans un récipient de traitement dans lequel est contenu un substrat et le gaz de matière première est adsorbé sur la surface du substrat, et une étape de réaction dans laquelle un gaz de réaction est acheminé dans le récipient de traitement, le gaz de réaction est converti en plasma et le gaz de réaction converti en plasma est mis en réaction avec le gaz de matière première adsorbé sur la surface du substrat, le gaz de réaction étant converti en plasma, lors de l'étape de réaction, au moyen d'une puissance haute fréquence présentant une fréquence de 38 à 60 MHz. 基板に金属チタン膜を成膜する方法であって、前記基板が収容された処理容器内に原料ガスを供給し、前記基板の表面に前記原料ガスを吸着させる吸着段階と、前記処理容器内に反応ガスを供給すると共に、前記反応ガスをプラズマ化させ、前記基板の表面に吸着した前記原料ガスに、プラズマ化した前記反応ガスを反応させる反応段階と、を交互に実施する原子層堆積（プラズマＡＬＤ）法により、金属チタン膜を形成する工程を含み、前記反応段階では、３８ＭＨｚ以上６０ＭＨｚ以下の周波数の高周波電力を用いて前記反応ガスをプラズマ化させる。