ETCHING METHOD AND ETCHING DEVICE

• Main Authors: OTAKE Hiroto, HATTORI Takashi
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 06.01.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided are an etching method and etching device that enable etching of aluminum oxide films with a high selectivity ratio with respect to silicon oxide films and silicon nitride films, the method comprising a step for placing, in a treatment chamber, a wafer having an aluminum oxide film disposed on an upper surface thereof, maintaining the wafer at a temperature of -20°C or lower, and etching the aluminum oxide film by feeding thereto, for a predetermined period of time, a vapor of hydrogen fluoride from a plurality of through holes formed apart from each other at a predetermined interval in a plate-shaped member disposed above the upper surface of the wafer. L'invention concerne un procédé de gravure et un dispositif de gravure qui permettent la gravure de films d'oxyde d'aluminium avec un rapport de sélectivité élevé par rapport aux films d'oxyde de silicium et aux films de nitrure de silicium, le procédé comprenant une étape de mise en place, dans une chambre de traitement, une tranche ayant un film d'oxyde d'aluminium disposé sur une surface supérieure de celle-ci, le maintien de la tranche à une température de -20 °C ou moins, et la gravure du film d'oxyde d'aluminium par alimentation de celui-ci, pendant une durée prédéterminée, avec une vapeur de fluorure d'hydrogène provenant d'une pluralité de trous traversants formés séparément les uns des autres à un intervalle prédéterminé dans un élément en forme de plaque disposé au-dessus de la surface supérieure de la tranche. 酸化アルミニウム膜を酸化シリコン膜及び窒化シリコン膜に対して高い選択比で高精度にエッチングすることのできるエッチング処理方法およびエッチング処理装置を提供するため、酸化アルミニウム膜が上面に配置されたウエハを処理室内に配置し、当該ウエハを－２０℃以下の温度に維持して、前記ウエハの前記上面の上方に所定の隙間を開けて配置された板状の部材の複数の貫通孔からフッ化水素の蒸気を予め定められた期間だけ供給して前記酸化アルミニウム膜をエッチングする工程を備えた。