FILM FORMING METHOD AND FILM FORMING APPARATUS
This film forming method comprises: a first step wherein a first aromatic hydrocarbon gas having a first functional group is supplied to a substrate that has been provided with an undercoat film; and a second step wherein the first aromatic hydrocarbon gas adsorbed on the surface of the undercoat fi...
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Format | Patent |
Language | English French Japanese |
Published |
30.12.2021
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Summary: | This film forming method comprises: a first step wherein a first aromatic hydrocarbon gas having a first functional group is supplied to a substrate that has been provided with an undercoat film; and a second step wherein the first aromatic hydrocarbon gas adsorbed on the surface of the undercoat film is activated by means of a plasma of a first reaction gas that contains at least a rare gas.
L'invention concerne un procédé de formation de film comprenant : une première étape dans laquelle un premier gaz hydrocarboné aromatique présentant un premier groupe fonctionnel est fourni à un substrat qui a été pourvu d'un film de sous-couche ; et une deuxième étape dans laquelle le premier gaz hydrocarboné aromatique adsorbé sur la surface du film de sous-couche est activé au moyen d'un plasma d'un premier gaz de réaction qui contient au moins un gaz rare.
成膜方法は、下地膜が形成された基板に第1官能基を有する第1芳香族炭化水素ガスを供給する第1工程と、少なくとも希ガスを含む第1反応ガスのプラズマにより、下地膜の表面上に吸着した第1芳香族炭化水素ガスを活性化させる第2工程とを含む。 |
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Bibliography: | Application Number: WO2021JP22251 |