ANTENNA DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS

• Main Authors: ISHIZUKA Kenichi, TACHIBANA Shinya
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 30.12.2021
• Subjects: ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRICITY

An antenna device 101 is configured into an electronic apparatus comprising: a casing that has a conductive frame 10; and a circuit board 20 stored in the casing. A first conductor part 11 of the frame 11 is connected to a power supply circuit 1 and a ground conductor 20G, and a part of a second conductor part 12 of the frame 10 is connected to the ground conductor 20G. The resonance frequency of a first radiation element constituted by a first path 21 formed by the power supply circuit 1, the first conductor part 11, and the ground conductor 20G is lower than the resonance frequency of a second radiation element constituted by a second path formed by the power supply circuit 1, the first conductor part 11, a gap GAP 1, the second conductor part 12, and the ground conductor 20G. La présente invention concerne un dispositif d'antenne 101 qui est configuré dans un appareil électronique comprenant : un boîtier qui a un cadre conducteur (10) ; et une carte de circuit imprimé 20 stockée dans le boîtier. Une première partie conductrice 11 du cadre 11 est connectée à un circuit d'alimentation électrique 1 et à un conducteur de masse 20G, et une partie d'une seconde partie conductrice 12 du cadre 10 est connectée au conducteur de masse 20G. La fréquence de résonance d'un premier élément de rayonnement constitué par un premier trajet formé par le circuit d'alimentation électrique, la première partie conductrice, et le conducteur de masse 20G est inférieure à la fréquence de résonance d'un second élément de rayonnement constitué par un second trajet formé par le circuit d'alimentation électrique 1, la première partie conductrice 11, un espace GAP 1, la seconde partie conductrice 12, et le conducteur de masse 20G. アンテナ装置１０１は、導電性のフレーム１０を有する筐体と、この筐体内に収められた回路基板２０と、を備える電子機器に構成される。フレーム１０の第１導体部１１は給電回路１及びグランド導体２０Ｇに接続され、フレーム１０の第２導体部１２の一部はグランド導体２０Ｇに接続される。給電回路１、第１導体部１１及びグランド導体２０Ｇによる第１経路２１によって構成される第１放射素子の共振周波数は、給電回路１、第１導体部１１、間隙ＧＡＰ１、第２導体部１２及びグランド導体２０Ｇによる第２経路２２によって構成される第２放射素子の共振周波数よりも低い。