SILICON NITRIDE SINTERED BODY, WEAR-RESISTANT MEMBER USING SAME, AND METHOD FOR PRODUCING SILICON NITRIDE SINTERED BODY

A silicon nitride sintered body comprising silicon nitride crystal grains and grain boundary phases, and characterized in that, when the width before the application of a surface treatment is defined as D, the relationships between the average grain diameter dA and the average aspect ratio rA of the...

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Main Author FUNAKI, Kai
Format Patent
LanguageEnglish
French
Japanese
Published 02.12.2021
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Summary:A silicon nitride sintered body comprising silicon nitride crystal grains and grain boundary phases, and characterized in that, when the width before the application of a surface treatment is defined as D, the relationships between the average grain diameter dA and the average aspect ratio rA of the silicon nitride crystal grains in a first region that extends from the outermost surface to a depth of 0 to 0.01D and the average grain diameter dB and the average aspect ratio rB of the silicon nitride crystal grains in a second region that is located deeper inside each of the crystal grains than the first region satisfy the formula: 0.8 ≦ dA/dB ≦ 1.2 and the formula: 0.8 ≦ rA/rB ≦ 1.2. La présente invention concerne un corps fritté de nitrure de silicium qui comprend des grains cristallins de nitrure de silicium et des phases de limite de grain, et caractérisé en ce que, lorsque la largeur avant l'application d'un traitement de surface est définie comme D, les relations entre le diamètre de grain moyen dA et le rapport d'aspect moyen rA des grains cristallins de nitrure de silicium dans une première région qui s'étend depuis la surface la plus externe jusqu'à une profondeur de 0 à 0,01 D et le diamètre moyen de grain dB et le rapport d'aspect moyen rB des grains cristallins de nitrure de silicium dans une seconde région qui est située plus profondément à l'intérieur de chacun des grains cristallins que la première région satisfont à la formule : 0,8 ≦ dA/dB ≦ 1,2 et à la formule : 0,8 ≦ rA/rB ≦ 1,2. 窒化珪素結晶粒子と粒界相を有する窒化珪素焼結体であって、表面加工を施す前の幅をDとしたとき、最表面から0~0.01Dの深さまでの第1領域における前記窒化珪素結晶粒子の平均粒子径dAおよび平均アスペクト比rAと、前記第1領域より内側の第2領域における前記窒化珪素結晶粒子の平均粒子径dBおよび平均アスペクト比rBとの関係が、 0.8≦dA/dB≦1.2 0.8≦rA/rB≦1.2 の式を満たすことを特徴とする。
Bibliography:Application Number: WO2021JP19816