STRAINED QUANTUM WELL STRUCTURE, OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR LASER

• Main Authors: MITSUHARA, Manabu, SATO, Tomonari
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 02.12.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DEVICES USING STIMULATED EMISSION; ELECTRICITY

This strained quantum well structure (30) is a type I strained quantum well structure in which InP crystal is grown as a substrate, and the light emission wavelength is 1.9-2.5 µm (inclusive), wherein a well layer (31) is an InGaAs, InAs, or InGaAsSb crystal having compressive strain, a barrier layer (32) is an InGaAsSb crystal having tensile strain, and a band discontinuity (47) of the conduction band is 100 meV or greater.　It is thereby possible to increase the output of an optical semiconductor component such as a semiconductor laser and a 2-µm-wavelength-band strained quantum well structure. Cette structure de puits quantique contraint (30) est une structure de puits quantique contraint de type I dans laquelle un cristal de InP est amené à croître en tant que substrat, et la longueur d'onde d'émission de lumière est de 1,9 à 2,5 µm (inclus), une couche de puits (31) étant un cristal de InGaAs, InAs ou InGaAsSb présentant une contrainte de compression, une couche barrière (32) étant un cristal de InGaAsSb ayant une contrainte de traction, et une discontinuité de bande (47) de la bande de conduction étant de 100 meV ou plus.　Il est ainsi possible d'augmenter la sortie d'un composant semi-conducteur optique tel qu'un laser à semi-conducteur et une structure de puits quantique contraint à bande de longueur d'onde de 2 µm. 本発明の歪量子井戸構造（３０）は、ＩｎＰ結晶を基板として成長される、発光波長が１．９μｍ以上２．５μｍ以下であるタイプＩ型の歪量子井戸構造であって、井戸層（３１）が、圧縮歪を有する、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＡｓ、又はＩｎＧａＡｓＳｂ結晶であり、障壁層（３２）が、引っ張り歪を有するＩｎＧａＡｓＳｂ結晶であり、伝導帯のバンド不連続（４７）が１００ｍｅＶ以上である。　これにより、２μｍ波長帯の歪量子井戸構造および半導体レーザ等の光半導体素子を高出力化できる。