SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: SUZUKI, Akio, YAKUBO, Yuto, MIYATA, Shoki, IKEDA, Takayuki
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 18.11.2021
• Subjects: BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY; DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TOANOTHER; ELECTRICITY

Provided is a novel semiconductor device. This semiconductor device has a mixer circuit and a bias circuit. The mixer circuit has a voltage current conversion unit, a current switch unit, and a current voltage conversion unit. In addition, the bias circuit has a bias supply unit and a first transistor. The voltage current conversion unit has a second transistor and a third transistor. The bias supply unit has a function of outputting a bias voltage to be supplied to a gate of the second transistor and a gate of the third transistor. One of a source or a drain of the first transistor is electrically connected to the gate of the second transistor and the gate of the third transistor. When a bias voltage is supplied, the first transistor is set to an off state. When supply of a bias voltage is stopped, the first transistor is set to an on state. L'invention concerne un nouveau dispositif à semi-conducteur. Ce dispositif à semi-conducteur comprend un circuit mélangeur et un circuit de polarisation. Le circuit mélangeur comprend une unité de conversion de courant de tension, une unité de commutation de courant et une unité de conversion de tension de courant. En outre, le circuit de polarisation comprend une unité d'alimentation en polarisation et un premier transistor. L'unité de conversion de courant de tension comporte un deuxième transistor et un troisième transistor. L'unité d'alimentation en polarisation a une fonction de sortie d'une tension de polarisation à fournir à une grille du deuxième transistor et à une grille du troisième transistor. L'une d'une source ou d'un drain du premier transistor est connectée électriquement à la grille du deuxième transistor et à la grille du troisième transistor. Lorsqu'une tension de polarisation est fournie, le premier transistor est réglé à un état éteint. Lorsque l'alimentation d'une tension de polarisation est arrêtée, le premier transistor est réglé à un état activé. 新規な半導体装置を提供する。 ミキサ回路と、バイアス回路と、を有する半導体装置。ミキサ回路は、電圧電流変換部と、電流スイッチ部と、電流電圧変換部と、を有する。また、バイアス回路は、バイアス供給部と、第１トランジスタと、を有する。電圧電流変換部は、第２トランジスタと、第３トランジスタと、を有する。バイアス供給部は、第２トランジスタのゲートと第３トランジスタのゲートに供給されるバイアス電圧を出力する機能を有する。第１トランジスタのソースまたはドレインの一方は、第２トランジスタのゲートおよび第３トランジスタのゲートと電気的に接続される。バイアス電圧の供給時は第１トランジスタをオフ状態にし、バイアス電圧の供給停止時は第１トランジスタをオン状態にする。