SPUTTERING APPARATUS AND FILM FORMATION METHOD USING SAME

• Main Authors: OGO, Yoshinori, MIYAUCHI, Mitsuhiro, AOYAMA, Takaaki
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 07.10.2021
• Subjects: CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

A sputtering apparatus provided with: a film formation chamber (11) in which a film is formed on a substrate (S); a pressure-reducing device (19) for putting the inside of the film formation chamber into a pressure-reduced atmosphere; a disk-like substrate holder (12) which is arranged rotatably in the film formation chamber, and has a substrate holding unit (14) capable of holding the substrate autorotatably on one of the main surfaces of the substrate holder (12); a driving device (13) for rotating the substrate holder; a film formation process region (R1) which is formed in a space corresponding to an outer peripheral region of the substrate holder in the film formation chamber, and in which a sputtering electrode (16) is arranged; a reaction process region (R2) which is formed in a space corresponding to a center region of the substrate holder in the film formation chamber, and in which a plasma generation device (17) is arranged; and a gas introduction device (18) for introducing a discharge gas and a reaction gas into the film formation chamber. Un appareil de pulvérisation cathodique selon la présente invention comprend : une chambre de formation de film (11) dans laquelle un film est formé sur un substrat (S) ; un dispositif de réduction de pression (19) pour placer l'intérieur de la chambre de formation de film dans une atmosphère à pression réduite ; un support de substrat de type disque (12) qui est disposé de manière rotative dans la chambre de formation de film, et qui comporte une unité de support de substrat (14) apte à supporter le substrat auto-rotatif sur l'une des surfaces principales du support de substrat (12) ; un dispositif d'entraînement (13) pour faire tourner le support de substrat ; une région de traitement de formation de film (R1) qui est formée dans un espace correspondant à une région périphérique externe du support de substrat dans la chambre de formation de film, et dans laquelle est disposée une électrode de pulvérisation (16) ; une région de traitement de réaction (R2) qui est formée dans un espace correspondant à une région centrale du support de substrat dans la chambre de formation de film, et dans laquelle est disposé un dispositif de génération de plasma (17) ; et un dispositif d'introduction de gaz (18) pour introduire un gaz de décharge et un gaz de réaction dans la chambre de formation de film. 基板（Ｓ）に膜を形成する成膜チャンバ（１１）と、前記成膜チャンバ内を減圧雰囲気にする減圧装置（１９）と、前記成膜チャンバ内にて回転可能に設けられ、一方の主面において前記基板を自転可能に保持する基板保持部（１４）を有する円盤状の基板ホルダ（１２）と、前記基板ホルダを回転させる駆動装置（１３）と、前記成膜チャンバ内の、前記基板ホルダの外周領域に対応する空間に形成され、スパッタ電極（１６）が設けられた成膜プロセス領域（Ｒ１）と、前記成膜チャンバ内の、前記基板ホルダの中心領域に対応する空間に形成され、プラズマ発生装置（１７）が設けられた反応プロセス領域（Ｒ２）と、前記成膜チャンバ内に放電ガス及び反応ガスを導入するガス導入装置（１８）と、を備える。