SEMICONDUCTOR DEVICE, POWER CONVERSION DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: OGAWA, Shohei, OGAWA, Michio, KAWASE, Tatsuya, YOSHIMATSU, Naoki, FUJINO, Junji, KAWAZOE, Chika
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 30.09.2021
• Subjects: APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC,OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWERSUPPLY SYSTEMS; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; CONTROL OR REGULATION THEREOF; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUTPOWER; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; GENERATION; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS; PRINTED CIRCUITS; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided are a semiconductor device and a power conversion device with which it is possible to ensure operational stability and to reduce size and weight. The semiconductor device is provided with a semiconductor module (1), a heatsink (2), and a heat-dissipating plate (4). The semiconductor module (1) has a first major surface (1a) and a second major surface (1b). The second major surface (1b) is positioned opposite to the first major surface (1a). In the semiconductor module (1), a first heat-conducting plate is exposed on the first major surface (1a). A second heat-conducting plate is exposed on the second major surface (1b). The first major surface (1a) of the semiconductor module (1) is connected to the heatsink (2). The second major surface (1b) of the semiconductor module (1) is connected to the heat-dissipating plate (4). The heatsink (2) includes a flow path (2c) for circulating a cooling medium (2f). The heatsink (2) and the heat-dissipating plate (4) are connected together at a position not overlapping the semiconductor module (1) when viewed from a direction perpendicular to the second major surface (1b). L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur et un dispositif de conversion de courant permettant d'assurer une stabilité de fonctionnement et de réduire la taille et le poids. Le dispositif à semi-conducteur est pourvu d'un module à semi-conducteur (1), d'un dissipateur thermique (2) et d'une plaque de dissipation de chaleur (4). Le module à semi-conducteur (1) présente une première surface principale (1a) et une seconde surface principale (1b). La seconde surface principale (1b) est positionnée à l'opposé de la première surface principale (1a). Dans le module à semi-conducteur (1), une première plaque thermoconductrice est apparente sur la première surface principale (1a). Une seconde plaque thermoconductrice est apparente sur la seconde surface principale (1b). La première surface principale (1a) du module à semi-conducteur (1) est reliée au dissipateur thermique (2). La seconde surface principale (1b) du module à semi-conducteur (1) est reliée à la plaque de dissipation de chaleur (4). Le dissipateur thermique (2) comprend un trajet d'écoulement (2c) permettant de faire circuler un milieu de refroidissement (2f). Vus depuis une direction perpendiculaire à la seconde surface principale (1b), le dissipateur thermique (2) et la plaque de dissipation de chaleur (4) sont reliés l'un à l'autre à une position ne chevauchant pas le module à semi-conducteur (1). 動作の安定性を確保しつつ小型化・軽量化を図ることが可能な半導体装置および電力変換装置が得られる。半導体装置は、半導体モジュール（１）と、ヒートシンク（２）と、放熱板（４）とを備える。半導体モジュール（１）は第１主面（１ａ）と第２主面（１ｂ）とを有する。第２主面（１ｂ）は、第１主面（１ａ）とは反対側に位置する。半導体モジュール（１）において、第１熱伝導板は、第１主面（１ａ）に露出する。第２熱伝導板は、第２主面（１ｂ）に露出する。ヒートシンク（２）には、半導体モジュール（１）の第１主面（１ａ）が接続される。放熱板（４）には、半導体モジュール（１）の第２主面（１ｂ）が接続される。ヒートシンク（２）は、冷却媒体（２ｆ）を流通させる流路（２ｃ）を含む。ヒートシンク（２）と放熱板（４）とは、第２主面（１ｂ）に垂直な方向から見て半導体モジュール（１）と重ならない位置で接続されている。