SOLID-STATE IMAGING DEVICE

• Main Authors: KANEGUCHI, Tokihisa, SHIMIZU, Kan
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 30.09.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A first solid-state imaging device according to an embodiment of the present disclosure comprises: a first substrate including a first semiconductor substrate, in which a plurality of photoelectric conversion portions constituting a sensor pixel are embedded, and a multilayer wiring layer formed on one surface of the first semiconductor substrate; at least one second substrate bonded to the first substrate, with the multilayer wiring layer interposed between the first substrate and the at least one second substrate; a first wiring layer that is provided in the multilayer wiring layer and includes a plurality of first thin-metal wires formed at substantially equal first pitches; a second wiring layer that is stacked on the first wiring layer in the multilayer wiring layer and includes a plurality of second thin-metal wires formed at substantially equal second pitches between the plurality of first thin-metal wires in plan view; and a first alignment portion formed above the second wiring layer in the multilayer wiring layer. Un premier dispositif d'imagerie à semi-conducteur selon un mode de réalisation de la présente invention comprend : un premier substrat comprenant un premier substrat semi-conducteur, dans lequel une pluralité de parties de conversion photoélectrique constituant un pixel de capteur sont incorporées, et une couche de câblage multicouche formée sur une surface du premier substrat semi-conducteur ; au moins un second substrat lié au premier substrat, la couche de câblage multicouche étant interposée entre le premier substrat et l'au moins un second substrat ; une première couche de câblage qui est disposée dans la couche de câblage multicouche et comprend une pluralité de premiers fils métalliques minces formés à des premiers pas sensiblement égaux ; une seconde couche de câblage qui est empilée sur la première couche de câblage dans la couche de câblage multicouche et comprend une pluralité de seconds fils métalliques minces formés à des seconds pas sensiblement égaux entre la pluralité de premiers fils métalliques minces dans une vue en plan ; et une première partie d'alignement formée au-dessus de la seconde couche de câblage dans la couche de câblage multicouche. 本開示の一実施形態の第１の固体撮像装置は、センサ画素を構成する複数の光電変換部が埋め込み形成された第１の半導体基板および第１の半導体基板の一の面側に形成された多層配線層を有する第１基板と、多層配線層を間に第１基板に貼り合わされた１または複数の第２基板と、多層配線層内に設けられ、略同一の第１のピッチで形成された複数の第１の金属細線を含む第１の配線層と、多層配線層内において第１の配線層の上方に積層されると共に、平面視において複数の第１の金属細線の間に略同一の第２のピッチで形成された複数の第２の金属細線を含む第２の配線層と、多層配線層内において第２の配線層の上方に形成された第１の位置合わせ部と備える。