SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION

• Main Authors: YANAGISAWA, Yuichi, IIKUBO, Yoichi, YAMAGUCHI, Daisuke
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 30.09.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided is a high-yield method for semiconductor device fabrication. When forming a film of a gate insulator or an insulator in contact with an oxide semiconductor such as an interlayer film in a semiconductor device having the oxide semiconductor on a substrate, the insulator film can be formed without diffusion of hydrogen into the oxide semiconductor by setting constants derived from film forming conditions in predetermined ranges. Specifically, the set values of the film forming power, effective electrode area, film forming pressure, and flow rate of film forming gas including hydrogen in the film forming conditions can be selected as appropriate. L'invention concerne un procédé de fabrication à haut rendement de dispositifs à semi-conducteur. Lors de la formation d'un film d'un isolant de grille ou d'un isolant en contact avec un semi-conducteur à oxyde tel qu'un film intermédiaire dans un dispositif à semi-conducteur dont le semi-conducteur à oxyde est situé sur un substrat, le film isolant peut être formé sans diffusion d'hydrogène dans le semi-conducteur à oxyde par réglage de constantes dérivées de conditions de formation de film dans des plages prédéfinies. En particulier, les valeurs définies de la puissance de formation de film, de la surface efficace d'électrode, de la pression de formation de film et du débit de gaz de formation de film comprenant de l'hydrogène dans les conditions de formation de film peuvent être sélectionnées comme approprié. 歩留まりの高い半導体装置の作製方法を提供する。 基板上に、酸化物半導体を有する半導体装置において、ゲート絶縁体、または層間膜などの酸化物半導体と接する絶縁体を成膜する際に、成膜条件から導かれる定数を、一定の範囲内にすることで、酸化物半導体に水素が拡散することなく、絶縁体を成膜することができる。具体的には、成膜条件における成膜電力、実行電極面積、成膜圧力、および水素を含む成膜ガスの流量の設定値を適宜選択することができる。