SEMICONDUCTOR FILM

• Main Authors: WATANABE Morimichi, YOSHIKAWA Jun, FUKUI Hiroshi
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 23.09.2021
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMISTRY; CRYSTAL GROWTH; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; METALLURGY; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SEMICONDUCTOR DEVICES; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

Provided is an α-Ga2O3-based semiconductor film which can be manufactured in a larger area and a large thickness without taking an effort in the preparation of a base substrate for film formation use and which rarely undergoes cracking. The semiconductor film has a corundum-type crystal structure composed of α-Ga2O3, in which, in a cathodoluminescence (CL) spectrum measured at 25℃, the integrated value A of the light emission intensities at 320 to 340 nm and the integrated value B of the light emission intensities at 400 to 420 nm satisfy the following relationship: B/(A+B) > 0.15. L'invention concerne un film semi-conducteur à base de α-Ga2O3, pouvant être fabriqué de manière à présenter une plus grande superficie et une plus grande épaisseur sans faire des efforts dans la préparation d'un substrat de base utilisé pour la formation du film, et subissant rarement la formation de craquelures. Le film semi-conducteur comporte une structure cristalline du type corindon composée de α- Ga2O3, dans laquelle, dans un spectre de cathodoluminescence (CL) mesuré à 25 °C, la valeur intégrée A des intensités d'émission de lumière à 320 à 340 nm, et la valeur intégrée B des intensités d'émission de lumière à 400 à 420 nm, satisfont à la relation suivante : B/(A+B) > 0,15. 成膜用下地基板の用意に手間をかけずとも大面積で厚くかつクラックが低減されたα－Ｇａ２Ｏ３系半導体膜が提供される。この半導体膜は、α－Ｇａ２Ｏ３で構成されるコランダム型結晶構造を有し、２５℃で測定したカソードルミネッセンス（ＣＬ）スペクトルにおいて、３２０～３４０ｎｍの発光強度の積分値Ａ、及び４００～４２０ｎｍの発光強度の積分値Ｂが、Ｂ／（Ａ＋Ｂ）＞０．１５の関係を満たす。