THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND FABRICATING METHODS THEREOF

• Main Authors: GENG, Wanbo, XUE, Lei, XUE, Jiaqian, GAO, Tingting, LIU, Xiaoxin, HUANG, Bo
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 23.09.2021
• Subjects: ELECTRICITY

A method for forming a 3D memory device is provided. The method comprises forming a sacrificial layer on a substrate, forming an alternating dielectric stack on the sacrificial layer, forming a plurality of channel holes vertically penetrating the alternating dielectric stack and the sacrificial layer, and forming a first channel layer in each channel hole. The method further comprises forming a second channel layer on the first channel layer in each channel hole, such that a merging point of the second channel layer is higher than a bottom surface of the alternating dielectric stack. The method further comprises removing the sacrificial layer to form a horizontal trench, and forming a selective epitaxial growth layer in the horizontal trench. Procédé de formation d'un dispositif de mémoire 3D. Le procédé consiste à former une couche sacrificielle sur un substrat, à former un empilement diélectrique alterné sur la couche sacrificielle, à former une pluralité de trous de canal pénétrant verticalement dans l'empilement diélectrique alterné et la couche sacrificielle, et à former une première couche de canal dans chaque trou de canal. Le procédé consiste en outre à former une seconde couche de canal sur la première couche de canal dans chaque trou de canal, de telle sorte qu'un point de fusion de la seconde couche de canal est plus élevé qu'une surface inférieure de l'empilement diélectrique alterné. Le procédé consiste en outre à retirer la couche sacrificielle pour former une tranchée horizontale, et à former une couche de croissance épitaxiale sélective dans la tranchée horizontale.