PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR NANOPARTICLES

• Main Authors: OYAMATSU, Daisuke, KUWABATA, Susumu, UEMATSU, Taro, TORIMOTO, Tsukasa, IKAGAWA, Yohei, KUBO, Tomoya, KAMEYAMA, Tatsuya
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 16.09.2021
• Subjects: ADHESIVES; CHEMISTRY; COMPOUNDS THEREOF; DYES; INORGANIC CHEMISTRY; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES; MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FORELSEWHERE; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; METALLURGY; MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS; MISCELLANEOUS COMPOSITIONS; NANOTECHNOLOGY; NATURAL RESINS; NON-METALLIC ELEMENTS; OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS; OPTICS; PAINTS; PERFORMING OPERATIONS; PHYSICS; POLISHES; SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; TRANSPORTING

Provided is a production method for semiconductor nanoparticles that can exhibit band edge emission at a short peak emission wavelength. The production method for semiconductor nanoparticles involves obtaining a first mixture that includes a Ag salt, an In salt, a compound that includes Ga and S, and an organic solvent and performing a heat treatment on the first mixture at a temperature of 125°C-300°C to obtain first semiconductor nanoparticles. L'invention concerne un procédé de production de nanoparticules de semiconducteurs qui peuvent présenter une émission du bord de bande à une courte longueur d'onde maximale d'émission. Le procédé de production de nanoparticules de semiconducteurs consiste à obtenir un premier mélange qui contient un sel d'Ag, un sel d'In, un composé qui contient Ga et S, et un solvant organique, et la mise en œuvre d'un traitement thermique sur le premier mélange à une température de 125°C à 300°C pour obtenir de premières nanoparticules de semiconducteurs. 短波長の発光ピーク波長でバンド端発光を示すことができる半導体ナノ粒子の製造方法が提供される。半導体ナノ粒子の製造方法は、Ａｇ塩と、Ｉｎ塩と、Ｇａ及びＳを含む化合物と、有機溶剤とを含む第１混合物を得ることと、第１混合物を１２５℃以上３００℃以下の範囲にある温度にて熱処理して、第１半導体ナノ粒子を得ることとを含む。