SEMICONDUCTOR ANALYSIS SYSTEM

• Main Authors: KUBO, Yudai, NOMAGUCHI, Tsunenori, CHIBA, Hiroyuki
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 02.09.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRICITY; INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES; MEASURING; PHYSICS; TESTING

This semiconductor analysis system is provided with: a processing device which produces a thin film sample for observation by processing a semiconductor wafer; a transmission electron microscope device which obtains a transmission electron microscopic image of the thin film sample; and a high order control device which controls the processing device and the transmission electron microscope device. The high order control device performs an evaluation of the thin film sample on the basis of the transmission electron microscopic image, updates the processing conditions on the basis of the evaluation results of the thin film sample, and outputs the updated processing conditions to the processing device. L'invention concerne un système d'analyse de semi-conducteur pourvu : d'un dispositif de traitement qui produit un échantillon de couche mince pour observation par traitement d'une tranche de semi-conducteur ; d'un dispositif de microscope électronique à transmission qui obtient une image microscopique électronique de transmission de l'échantillon de couche mince ; et d'un dispositif de commande d'ordre élevé qui commande le dispositif de traitement et le dispositif de microscope électronique à transmission. Le dispositif de commande d'ordre élevé effectue une évaluation de l'échantillon de couche mince sur la base de l'image microscopique électronique de transmission, met à jour les conditions de traitement sur la base des résultats d'évaluation de l'échantillon de couche mince, et délivre les conditions de traitement mises à jour au dispositif de traitement. 半導体解析システムは、半導体ウエハを加工して観察用の薄膜試料を作製する加工装置と、薄膜試料の透過型電子顕微鏡像を取得する透過型電子顕微鏡装置と、加工装置および透過型電子顕微鏡装置を制御する上位制御装置と、を備えている。上位制御装置は、透過型電子顕微鏡像に基づく薄膜試料に対する評価を行い、薄膜試料の評価結果に基づいて加工条件を更新し、更新した加工条件を加工装置へ出力する。