MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

• Main Authors: GENG, Wanbo, XUE, Lei, XUE, Jiaqian, GAO, Tingting, LIU, Xiaoxin, HUANG, Bo
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 02.09.2021
• Subjects: ELECTRICITY

A method for forming a memory device includes providing an initial semiconductor structure, including a base substrate; a first sacrificial layer formed on the base substrate; a stack structure, disposed on the first sacrificial layer; a plurality of channels, formed through the stack structure and the first sacrificial layer; and a gate-line trench, formed through the stack structure and exposing the first sacrificial layer. The method also includes forming at least one protective layer on the sidewalls of the gate-line trench; removing the first sacrificial layer to expose a portion of each of the plurality of channels and the surfaces of the base substrate, using the at least one protective layer as an etch mask; and forming an epitaxial layer on the exposed surfaces of the base substrate and the plurality of channels. L'invention concerne un procédé permettant de former un dispositif de mémoire qui consiste à fournir une structure semi-conductrice initiale, comprenant un substrat de base ; une première couche sacrificielle formée sur le substrat de base ; une structure d'empilement, disposée sur la première couche sacrificielle ; une pluralité de canaux, formés à travers la structure d'empilement et la première couche sacrificielle ; et une tranchée de ligne de grille, formée à travers la structure d'empilement et exposant la première couche sacrificielle. Le procédé consiste également à former au moins une couche de protection sur les parois latérales de la tranchée de ligne de grille ; à supprimer la première couche sacrificielle pour exposer une partie de chaque canal de la pluralité de canaux et des surfaces du substrat de base, à utiliser la ou les couches de protection comme masque de gravure ; et à former une couche épitaxiale sur les surfaces exposées du substrat de base et de la pluralité de canaux.