SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND IMAGING DEVICE

• Main Authors: ONOZAWA, Kazutoshi, AMIKAWA, Hiroyuki, IKUMA, Makoto
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 26.08.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION; SEMICONDUCTOR DEVICES

A solid-state imaging device (100) comprises: a photoelectric conversion element (120) which is formed on a semiconductor substrate (150) and stores a signal charge generated via photoelectric conversion; a first diffusion layer (FD1) which holds the signal charge transferred from the photoelectric conversion element (120); a capacitive element (126) that holds the signal charge overflowing from the photoelectric conversion element (120); an amplification transistor (124) which outputs a signal corresponding to the signal charge amount of the first diffusion layer (FD1); a contact (c1) which is connected to the first diffusion layer (FD1); a contact (c2) which is connected to a gate of the amplification transistor (124); and a first wiring (w1) which connects the contact (c1) and the contact (c2). Regarding the first wiring (w1), the shortest distance between the semiconductor substrate (150) and the first wiring (w1) is shorter than the shortest distance between the semiconductor substrate (150) and the capacitive element (126). Un dispositif d'imagerie à semi-conducteur (100) comprend : un élément de conversion photoélectrique (120) qui est formé sur un substrat semi-conducteur (150) et stocke une charge de signal générée par conversion photoélectrique ; une première couche de diffusion (FD1) qui maintient la charge de signal transférée depuis l'élément de conversion photoélectrique (120) ; un élément capacitif (126) qui maintient la charge de signal débordant de l'élément de conversion photoélectrique (120) ; un transistor d'amplification (124) qui délivre un signal correspondant à la quantité de charge de signal de la première couche de diffusion (FD1) ; un contact (c1) qui est relié à la première couche de diffusion (FD1) ; un contact (c2) qui est connecté à une grille du transistor d'amplification (124) ; et un premier câblage (w1) qui relie le contact (c1) au contact (c2). En ce qui concerne le premier câblage (w1), la distance la plus courte entre le substrat semi-conducteur (150) et le premier câblage (w1) est plus courte que la distance la plus courte entre le substrat semi-conducteur (150) et l'élément capacitif (126). 固体撮像装置（１００）は、半導体基板（１５０）に形成され、光電変換して生成された信号電荷を蓄積する光電変換素子（１２０）と、光電変換素子（１２０）から転送される信号電荷を保持する第１拡散層（ＦＤ１）と、光電変換素子（１２０）から溢れる信号電荷を保持する容量素子（１２６）と、第１拡散層（ＦＤ１）の信号電荷量に応じた信号を出力する増幅トランジスタ（１２４）と、第１拡散層（ＦＤ１）に接続されたコンタクト（ｃ１）と、前記増幅トランジスタ（１２４）のゲートに接続されたコンタクト（ｃ２）と、コンタクト（ｃ１）とコンタクト（ｃ２）とを接続する第１配線（ｗ１）とを備え、第１配線（ｗ１）は、半導体基板（１５０）と第１配線（ｗ１）との最短距離は、半導体基板（１５０）と容量素子（１２６）との最短距離より小さい。