METAL BODY, FITTING-TYPE CONNECTION TERMINAL, AND METAL BODY FORMING METHOD
Provided are: a metal body for which whisker generation as a result of being subjected to external stress is suppressed, and which can be easily manufactured; a fitting-type connection terminal; and a metal body formation method. This metal body is configured so that a barrier layer containing Ni as...
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Format | Patent |
Language | English French Japanese |
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26.08.2021
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Summary: | Provided are: a metal body for which whisker generation as a result of being subjected to external stress is suppressed, and which can be easily manufactured; a fitting-type connection terminal; and a metal body formation method. This metal body is configured so that a barrier layer containing Ni as a main component is formed on a metal substrate containing Cu as a main component. A metal plating layer containing Sn as a main component is formed directly above the barrier layer. In a cross section of the metal body, the area ratio, i.e., the ratio of the area of an intermetallic compound containing Sn and Cu in the metal plating layer to the cross-sectional area of the metal plating layer, is 20% or less.
L'invention concerne : un corps métallique, exempt de production de trichites sous l'effet d'une contrainte externe et de fabrication simple; une borne de connexion de type raccord; et un procédé de formation de corps métallique. Ce corps métallique est conçu pour qu'une couche barrière contenant du nickel (Ni) comme composant principal se forme sur un substrat métallique contenant du cuivre (Cu) comme composant principal. Une couche de placage métallique contenant de l'étain (Sn) comme composant principal se forme directement au-dessus de la couche barrière. Dans une section transversale du corps métallique, le rapport de surfaces, c.-à-d. le rapport de la surface d'un composé intermétallique contenant du Sn et du Cu dans la couche de placage métallique à la surface de section transversale de la couche de placage métallique, est inférieur ou égal à 20 %.
外部応力に起因するウィスカの発生が抑制されるとともに容易に製造することができる金属体、嵌合型接続端子、および金属体の形成方法を提供する。金属体は、Cuを主成分とする金属基材上にNiを主成分とするバリア層が形成されており、バリア層の直上にSnを主成分とする金属めっき層が形成されてなる。金属体の断面において、金属めっき層の断面積に対する、金属めっき層中のSnおよびCuを含有する金属間化合物の面積の割合である面積率が20%以下である。 |
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Bibliography: | Application Number: WO2020JP49267 |