SEMICONDUCTOR FAILURE ANALYSIS DEVICE AND SEMICONDUCTOR FAILURE ANALYSIS METHOD

• Main Authors: IKESU Masataka, SUZUKI Shinsuke
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 26.08.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; MACHINE TOOLS; MEASURING; MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; PERFORMING OPERATIONS; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES; SOLDERING OR UNSOLDERING; TESTING; TRANSPORTING; WELDING; WORKING BY LASER BEAM

A semiconductor failure analysis device 1 is equipped with: an analysis unit 10 for analyzing an area of failure in a semiconductor device D; a marking unit 20 for irradiating the semiconductor device D with a laser beam; a device-positioning unit 30 in which a wafer chuck 32, which holds the semiconductor device D and to which an alignment target 50 is provided, moves relative to the analysis unit 10 and the marking unit 20; and a control unit 41b for outputting commands to the analysis unit 10, the marking unit 20 and the device-positioning unit 30. After moving the wafer chuck 32 to a position at which the analysis unit 10 is capable of imaging the alignment target 50, the control unit 41b outputs an alignment command to align the marking unit 20 with the analysis unit 10 by using the alignment target 50 as a reference, and irradiates the semiconductor device D with a laser beam while maintaining the positional relationship between the marking unit 20 and the analysis unit 10. L'invention concerne un dispositif d'analyse de défaillance de semi-conducteur 1 équipé : d'une unité d'analyse 10 pour analyser une zone de défaillance dans un dispositif à semi-conducteur D ; d'une unité de marquage 20 pour exposer le dispositif à semi-conducteur D à un faisceau laser ; d'une unité de positionnement de dispositif 30 dans laquelle un mandrin de tranche 32, qui tient le dispositif à semi-conducteur D et sur lequel une cible d'alignement 50 est disposée, se déplace par rapport à l'unité d'analyse 10 et à l'unité de marquage 20 ; et d'une unité de commande 41b pour délivrer des commandes à l'unité d'analyse 10, à l'unité de marquage 20 et à l'unité de positionnement de dispositif 30. Après déplacement du mandrin de tranche 32 jusqu'à une position à laquelle l'unité d'analyse 10 peut former l'image de la cible d'alignement 50, l'unité de commande 41b délivre une commande d'alignement pour aligner l'unité de marquage 20 avec l'unité d'analyse 10 en utilisant la cible d'alignement 50 comme référence, et expose le dispositif à semi-conducteur D à un faisceau laser tout en maintenant la relation de position entre l'unité de marquage 20 et l'unité d'analyse 10. 半導体故障解析装置１は、半導体デバイスＤの故障箇所を解析する解析部１０と、半導体デバイスＤにレーザ光を照射するマーキング部２０と、半導体デバイスＤを保持すると共にアライメントターゲット５０が設けられたウェハチャック３２が解析部１０及びマーキング部２０に対して相対的に移動するデバイス配置部３０と、解析部１０、マーキング部２０及びデバイス配置部３０に命令を出力する制御部４１ｂと、を備える。制御部４１ｂは、解析部１０がアライメントターゲット５０を撮像可能な位置にウェハチャック３２を移動させた後に、アライメントターゲット５０を基準として、マーキング部２０を解析部１０に合わせるアライメント命令を出力し、マーキング部２０と解析部１０との位置関係を維持した状態で、半導体デバイスＤにレーザ光を照射させる。