SEMICONDUCTOR FAILURE ANALYSIS DEVICE AND SEMICONDUCTOR FAILURE ANALYSIS METHOD

A semiconductor failure analysis device 1 is equipped with: an analysis unit 10 for analyzing an area of failure in a semiconductor device D; a marking unit 20 for irradiating the semiconductor device D with a laser beam; a device-positioning unit 30 in which a wafer chuck 32, which holds the semico...

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Main Authors IKESU Masataka, SUZUKI Shinsuke
Format Patent
LanguageEnglish
French
Japanese
Published 26.08.2021
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Summary:A semiconductor failure analysis device 1 is equipped with: an analysis unit 10 for analyzing an area of failure in a semiconductor device D; a marking unit 20 for irradiating the semiconductor device D with a laser beam; a device-positioning unit 30 in which a wafer chuck 32, which holds the semiconductor device D and to which an alignment target 50 is provided, moves relative to the analysis unit 10 and the marking unit 20; and a control unit 41b for outputting commands to the analysis unit 10, the marking unit 20 and the device-positioning unit 30. After moving the wafer chuck 32 to a position at which the analysis unit 10 is capable of imaging the alignment target 50, the control unit 41b outputs an alignment command to align the marking unit 20 with the analysis unit 10 by using the alignment target 50 as a reference, and irradiates the semiconductor device D with a laser beam while maintaining the positional relationship between the marking unit 20 and the analysis unit 10. L'invention concerne un dispositif d'analyse de défaillance de semi-conducteur 1 équipé : d'une unité d'analyse 10 pour analyser une zone de défaillance dans un dispositif à semi-conducteur D ; d'une unité de marquage 20 pour exposer le dispositif à semi-conducteur D à un faisceau laser ; d'une unité de positionnement de dispositif 30 dans laquelle un mandrin de tranche 32, qui tient le dispositif à semi-conducteur D et sur lequel une cible d'alignement 50 est disposée, se déplace par rapport à l'unité d'analyse 10 et à l'unité de marquage 20 ; et d'une unité de commande 41b pour délivrer des commandes à l'unité d'analyse 10, à l'unité de marquage 20 et à l'unité de positionnement de dispositif 30. Après déplacement du mandrin de tranche 32 jusqu'à une position à laquelle l'unité d'analyse 10 peut former l'image de la cible d'alignement 50, l'unité de commande 41b délivre une commande d'alignement pour aligner l'unité de marquage 20 avec l'unité d'analyse 10 en utilisant la cible d'alignement 50 comme référence, et expose le dispositif à semi-conducteur D à un faisceau laser tout en maintenant la relation de position entre l'unité de marquage 20 et l'unité d'analyse 10. 半導体故障解析装置1は、半導体デバイスDの故障箇所を解析する解析部10と、半導体デバイスDにレーザ光を照射するマーキング部20と、半導体デバイスDを保持すると共にアライメントターゲット50が設けられたウェハチャック32が解析部10及びマーキング部20に対して相対的に移動するデバイス配置部30と、解析部10、マーキング部20及びデバイス配置部30に命令を出力する制御部41bと、を備える。制御部41bは、解析部10がアライメントターゲット50を撮像可能な位置にウェハチャック32を移動させた後に、アライメントターゲット50を基準として、マーキング部20を解析部10に合わせるアライメント命令を出力し、マーキング部20と解析部10との位置関係を維持した状態で、半導体デバイスDにレーザ光を照射させる。
Bibliography:Application Number: WO2020JP42821