SEMICONDUCTOR DEVICE

Provided is a semiconductor device using a pass transistor. The semiconductor device has a first circuit, a second circuit, a plurality of input terminals, and an output terminal. The first circuit has a plurality of first transistors that function as pass transistors, and the second circuit has a p...

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Main Authors KIMURA, Kiyotaka, TOYOTAKA, Kouhei
Format Patent
LanguageEnglish
French
Japanese
Published 26.08.2021
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Summary:Provided is a semiconductor device using a pass transistor. The semiconductor device has a first circuit, a second circuit, a plurality of input terminals, and an output terminal. The first circuit has a plurality of first transistors that function as pass transistors, and the second circuit has a plurality of second transistors that function as pass transistors. The number of the first transistors is larger than the number of the second transistors, a first signal is applied to the gate of the first transistor, and a second signal is applied to the gate of the second transistor. A gradation signal is applied to the first circuit via x input terminals, and the first circuit selects y gradation signals from among the gradation signals by using the first signal. y (y < x) gradation signals are applied to the second circuit, and the second circuit outputs, to the output terminal, z (z < y) gradation signals from among the y gradation signals by using the second signal. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur utilisant un transistor ballast. Le dispositif à semi-conducteur comprend un premier circuit, un second circuit, une pluralité de bornes d'entrée et une borne de sortie. Le premier circuit a une pluralité de premiers transistors qui fonctionnent comme des transistors ballast, et le second circuit a une pluralité de seconds transistors qui fonctionnent comme des transistors ballast. Le nombre des premiers transistors est supérieur au nombre des seconds transistors, un premier signal est appliqué à la grille du premier transistor, et un second signal est appliqué à la grille du second transistor. Un signal de gradation est appliqué au premier circuit par l'intermédiaire de x bornes d'entrée, et le premier circuit sélectionne des signaux de gradation y parmi les signaux de gradation à l'aide du premier signal. Y (y < x) signaux de gradation sont appliqués au second circuit, et le second circuit délivre, à la borne de sortie, des signaux de gradation z (z < y) parmi les signaux de gradation y à l'aide du second signal. パストランジスタを用いた半導体装置を提供する。 第1の回路、第2の回路、複数の入力端子、および出力端子を有する半導体装置である。第1の回路は、パストランジスタとして機能する複数の第1のトランジスタを有し、第2の回路は、パストランジスタとして機能する複数の第2のトランジスタを有する。なお、第1のトランジスタの数は、第2のトランジスタの数よりも多く、第1のトランジスタのゲートには、第1の信号が与えられ、第2のトランジスタのゲートには、第2の信号が与えられる。第1の回路には、x個の入力端子を介して階調信号が与えられ、第1の回路は、第1の信号によって階調信号のうちy個の階調信号を選択する。第2の回路には、y個(y<x)の階調信号が与えられ、第2の回路は、第2の信号によってy個の階調信号のうちz個(z<y)の階調信号を出力端子に出力する。
Bibliography:Application Number: WO2021IB51047