SENSOR DEVICE AND RANGING DEVICE

• Main Authors: IMOTO, Tsutomu, OTAKE, Yusuke, HOSOYA, Masahiro
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 19.08.2021
• Subjects: ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION ORRERADIATION OF RADIO WAVES; MEASURING; PHYSICS; PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION; RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; SEMICONDUCTOR DEVICES; TESTING

The sensor device according to the present invention comprises: a first chip that has a first semiconductor substrate and a first wire forming layer, and has a pixel configured to include a photoelectric conversion element, and a first transfer gate element and a second transfer gate element for transferring stored charge of the photoelectric conversion element; and a second chip that has a second semiconductor substrate and a second wire forming layer. The sensor device also has a first wire electrically connected to the first transfer gate element, a second wire electrically connected to the second transfer gate element, and a third wire electrically connected to ground, wherein each of the first wire, second wire, and third wire is formed by bonding a first portion which is formed on the first wire forming layer and extends in a first direction to a second portion which is formed on the second wire forming layer and extends in the first direction. Selected drawing: FIG. 10 La présente invention concerne un dispositif de capteur qui comprend : une première puce qui a un premier substrat semi-conducteur, une première couche de formation de fil, et un pixel configuré pour comprendre un élément de conversion photoélectrique, ainsi qu'un premier élément de grille de transfert et un second élément de grille de transfert servant à transférer une charge stockée de l'élément de conversion photoélectrique ; et une seconde puce qui a un second substrat semi-conducteur et une seconde couche de formation de fil. Le dispositif de capteur comprend également un premier fil électriquement connecté au premier élément de grille de transfert, un deuxième fil électriquement connecté au second élément de grille de transfert, et un troisième fil électriquement connecté à la terre, les premier, deuxième et troisième fils étant formés par liaison d'une première partie qui est formée sur la première couche de formation de fil et s'étend dans une première direction à une seconde partie qui est formée sur la seconde couche de formation de fil et s'étend dans la première direction. 本技術に係るセンサ装置は、第一半導体基板と第一配線形成層とを有すると共に、光電変換素子と該光電変換素子の蓄積電荷を転送するための第一転送ゲート素子と第二転送ゲート素子とを含んで構成された画素を有する第一チップと、第二半導体基板と第二配線形成層とを有する第二チップとを備え、第一転送ゲート素子と電気的に接続された第一配線と、第二転送ゲート素子と電気的に接続された第二配線と、グランドと電気的に接続された第三配線とが形成され、第一配線、第二配線、及び第三配線のそれぞれは、第一配線形成層に形成され第一方向に延伸する第一部分と、第二配線形成層に形成され第一方向に延伸する第二部分とが接合されて成る。 （選択図　図１０）