BLOCK-TO-BLOCK ISOLATION AND DEEP CONTACT USING PILLARS IN MEMORY ARRAY

• Main Authors: LIU, Liu, SEL, Jong Sun, THIMMEGOWDA, Deepak, GOWDA, Srivardhan, CLEEREMAN, Brian J, PARAT, Krishna, LIN, Jui-Yen, ZHOU, Baosuo
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 12.08.2021
• Subjects: ELECTRICITY

An integrated circuit memory (100) includes a first memory block (102a) and an adjacent second memory block (102b). The first memory block (102a) comprises a first memory pillar (156a) around which a first memory cell is formed. The second memory block (102b) comprises a second memory pillar (156b) around which a second memory cell is formed. An isolation or slit area (104) between the first and second memory blocks (102a,102b) electrically isolates the first and second memory blocks (102a,102b). The slit area (104) comprising a slit pillar (124) around which no memory cells are formed. The slit pillar (124) is a dummy pillar, and insulator material electrically isolates the slit pillar (124) from a Word Line (WL) (120a,120b) through which it passes. The isolation layer electrically can also isolate a (WL)(120a) of the first memory block (102a) from a corresponding WL (120b) of the second memory block (102b). The slit pillar (124) and the memory pillars (156a,156b) have at least in part similar structures. Selon la présente invention, une mémoire de circuit intégré (100) comprend un premier bloc mémoire (102a) et un second bloc mémoire (102b) adjacent. Le premier bloc mémoire (102a) comprend une première colonne mémoire (156a) autour de laquelle est formée une première cellule de mémoire. Le second bloc mémoire (102b) comprend une seconde colonne mémoire (156b) autour de laquelle une seconde cellule de mémoire est formée. Une zone de fente (104) ou d'isolation entre les premier et second blocs de mémoire (102a, 102b) isole électriquement les premier et second blocs mémoires (102a,102b). La zone de fente (104) comprend une colonne de fente (124) autour de laquelle aucune cellule de mémoire n'est formée. La colonne de fente (124) est une colonne factice, et un matériau isolant isole électriquement la colonne de fente (124) d'une ligne de mots (WL) (120a,120b) que traverse cette dernière. La couche d'isolation peut également isoler électriquement une WL (120a) du premier bloc mémoire d'une WL correspondante (120b) du second bloc mémoire (102b). La colonne de fente (124) et les colonnes mémoire (156a, 156b) présentent au moins en partie des structures similaires.