SEMICONDUCTOR FAILURE ANALYSIS DEVICE

• Main Authors: ARATA Ikuo, ITO Yoshihiro, IKESU Masataka, ISHIZUKA Toshimichi
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 05.08.2021
• Subjects: INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES; MEASURING; MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES; PHYSICS; TESTING

This semiconductor failure analysis device 1 comprises: a tester 2 for applying a stimulation signal to a semiconductor device 100; a light source 3 for generating irradiation light L1 with which the semiconductor device 100 is irradiated; a solid immersion lens 4 disposed on the optical path of the irradiation light L1; a light detection unit 5 which receives reflected light L2 and outputs a detection signal based on the reflected light L2; an optical system 6 which is disposed between the light source 3 and the solid immersion lens 4 and emits the irradiation light L1 to the semiconductor device 100 via the solid immersion lens 4, and which is disposed between the solid immersion lens 4 and the light detection unit 5 and emits the reflected light L2 received via the solid immersion lens 4 to the light detection unit 5; and a computer 7 which uses the detection signal to obtain information pertaining to a failure location of the semiconductor device 100. The light source 3 emits the irradiation light L1 with a center wavelength of 880-980 nm. The solid immersion lens 4 is formed of GaAs. Dispositif d'analyse de défaillance de semi-conducteur 1 comprenant : un testeur 2 pour appliquer un signal de stimulation à un dispositif à semi-conducteur 100 ; une source de lumière 3 pour générer un rayonnement lumineux L1 auquel le dispositif à semi-conducteur 100 est exposé ; une lentille à immersion solide 4 disposée sur le trajet optique du rayonnement lumineux L1 ; une unité de détection de lumière 5 qui reçoit la lumière réfléchie L2 et délivre un signal de détection sur la base de la lumière réfléchie L2 ; un système optique 6 qui est disposé entre la source de lumière 3 et la lentille à immersion solide 4 et émet le rayonnement lumineux L1 en direction du dispositif à semi-conducteur 100 par l'intermédiaire de la lentille à immersion solide 4, et qui est disposé entre la lentille à immersion solide 4 et l'unité de détection de lumière 5 et émet la lumière réfléchie L2 reçue par l'intermédiaire de la lentille d'immersion solide 4 en direction de l'unité de détection de lumière 5 ; et un ordinateur 7 qui utilise le signal de détection pour obtenir des informations concernant un emplacement de défaillance du dispositif à semi-conducteur 100. La source de lumière 3 émet le rayonnement lumineux L1 avec une longueur d'onde centrale de 880 à 980 nm. La lentille à immersion solide 4 est formée de GaAs. 半導体故障解析装置１は、半導体デバイス１００に刺激信号を印加するテスタ２と、半導体デバイス１００に照射される照射光Ｌ１を生成する光源３と、照射光Ｌ１の光路上に配置される固浸レンズ４と、反射光Ｌ２を受け、反射光Ｌ２に応じる検出信号を出力する光検出部５と、光源３と固浸レンズ４との間に配置されて固浸レンズ４を介して半導体デバイス１００に照射光Ｌ１を出射すると共に、固浸レンズ４と光検出部５との間に配置されて固浸レンズ４を介して受けた反射光Ｌ２を光検出部５に出射する光学系６と、検出信号を利用して半導体デバイス１００の故障箇所に関する情報を得るコンピュータ７と、を備える。光源３は、中心波長が８８０ｎｍ以上９８０ｎｍ以下である照射光Ｌ１を出射する。固浸レンズ４は、ＧａＡｓによって形成されている。