SPIN ELEMENT AND RESERVOIR ELEMENT

• Main Authors: SASAKI Tomoyuki, SHIOKAWA Yohei
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 29.07.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CALCULATING; COMPUTER SYSTEMS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS; COMPUTING; COUNTING; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES

A spin element according to an embodiment comprises wiring (20), a stack (10) which includes a first ferromagnetic layer (1) stacked on the wiring, a first conductive part (30) and a second conductive part (40) which sandwich the first ferromagnetic layer in plan view from the stacking direction, and a first highly resistive layer (50) which contacts the wiring between the first conductive part and the wiring and has an electrical resistivity that is greater than or equal to that of the wiring. Un élément de spin selon un mode de réalisation de la présente invention comprend un câblage (20), un empilement (10) qui comprend une première couche ferromagnétique (1) empilée sur le câblage, une première partie conductrice (30) et une seconde partie conductrice (40) qui prennent en sandwich la première couche ferromagnétique dans une vue en plan à partir de la direction d'empilement, et une première couche hautement résistive (50) qui entre en contact avec le câblage entre la première partie conductrice et le câblage et a une résistivité électrique qui est supérieure ou égale à celle du câblage. 本実施形態にかかるスピン素子は、配線（20）と、前記配線に積層された第１強磁性層（1）を含む積層体（10）と、積層方向からの平面視で、前記第１強磁性層を挟む第１導電部（30）と第２導電部（40）と、前記第１導電部と前記配線との間で前記配線に接し、電気抵抗率が前記配線以上である第１高抵抗層（50）と、を備える。