SEMICONDUCTOR DEVICE AND POWER CONVERSION DEVICE

• Main Authors: OGAWA, Shohei, OGAWA, Michio, IMOTO, Yuji, FUJINO, Junji, KAWAZOE, Chika
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 22.07.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A semiconductor device (100) is provided with: a base plate (1); a brazing material (5); a laminated material (2); solder (4); and semiconductor elements (3). A first metal layer (21) is bonded to a first conductor layer (12) by the brazing material (5) at the opposite side of the first conductor layer (12) from a ceramic layer (11). A second metal layer (22) is layered on the first metal layer (21) at the opposite side of the first metal layer (21) from the first conductor layer (12). The semiconductor elements (3) are bonded to the second metal layer (22) by the solder (4). The materials of the first conductor layer (12) and the first metal layer (21) contain aluminum. The second metal layer (22) has higher wettability to the solder (4) than the first metal layer (21) does. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur (100) comportant : une plaque de base (1) ; un matériau de brasage (5) ; un matériau stratifié (2) ; une brasure (4) ; et des éléments semi-conducteurs (3). Une première couche métallique (21) est liée à une première couche conductrice (12) par le matériau de brasage (5) au niveau du côté opposé de la première couche conductrice (12) à partir d'une couche céramique (11). Une seconde couche métallique (22) est stratifiée sur la première couche métallique (21) au niveau du côté opposé de la première couche métallique (21) à partir de la première couche conductrice (12). Les éléments semi-conducteurs (3) sont liés à la seconde couche métallique (22) par la brasure (4). Les matériaux de la première couche conductrice (12) et de la première couche métallique (21) contiennent de l'aluminium. La seconde couche métallique (22) a une mouillabilité supérieure à la brasure (4) que la première couche métallique (21) l'est. 半導体装置（１００）は、基板（１）と、ろう材（５）と、積層材（２）と、はんだ（４）と、半導体素子（３）とを備えている。第１金属層（２１）は、第１導体層（１２）に対してセラミック層（１１）とは反対側でろう材（５）によって第１導体層（１２）に接合されている。第２金属層（２２）は、第１金属層（２１）に対して第１導体層（１２）とは反対側で第１金属層（２１）に積層されている。半導体素子（３）は、はんだ（４）によって第２金属層（２２）に接合されている。第１導体層（１２）および第１金属層（２１）の材料は、アルミニウムを含んでいる。第２金属層（２２）は、第１金属層（２１）よりもはんだ（４）に対する濡れ性が高い。