MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, RESIN SEALING MEMBER, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND POWER CONVERTER

• Main Authors: HARADA, Hiroyuki, OGAWA, Michio, KAJI, Yusuke, KONDO, Satoshi, FUJINO, Junji, KAWAZOE, Chika
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 15.07.2021
• Subjects: APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC,OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWERSUPPLY SYSTEMS; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CONTROL OR REGULATION THEREOF; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUTPOWER; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; GENERATION; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided is a manufacturing method for a semiconductor device having improved device maintainability and high productivity.　A resin sealing member (20) includes a main component (22) of a liquid resin composition and a curing agent (24) that are sealed in an external packaging body (21). The manufacturing method for a semiconductor device using the resin sealing member (20) includes: a first step (1) for placing the resin sealing member (20) on a ceramic substrate (3) on which an IGBT (5) and a diode (7) are mounted; a second step (B) for sealing by thermally deforming the external packaging body (21) and an internal packaging body (23), and causing the liquid resin composition to flow out so as to surround the IGBT (5) and the diode (7) on the ceramic substrate (3), thereby forming a mixed sealing material (25); and a third step (C) for curing the mixed sealing material (25) by heating after the mixed sealing material (25) has wet-spread. L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur ayant une meilleure aptitude à la maintenance du dispositif et une productivité élevée.　Un élément d'étanchéité en résine (20) comprend un composant principal (22) d'une composition de résine liquide et un agent de durcissement (24) qui sont scellés dans un corps d'emballage externe (21). L'invention concerne également le procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur utilisant l'élément d'étanchéité en résine (20) comprenant : une première étape (1) pour placer l'élément d'étanchéité en résine (20) sur un substrat céramique (3) sur lequel un IGBT (5) et une diode (7) sont montés ; une deuxième étape (B) pour assurer l'étanchéité par déformation thermique du corps d'emballage externe (21) et un corps d'emballage interne (23), et amener la composition de résine liquide à s'écouler de manière à entourer l'IGBT (5) et la diode (7) sur le substrat en céramique (3), formant ainsi un matériau d'étanchéité mélangé (25) ; et une troisième étape (C) pour durcir le matériau d'étanchéité mélangé (25) par chauffage après que le matériau d'étanchéité mélangé (25) ait un étalement humide. 装置のメンテナンス性を向上した生産性の高い半導体装置の製造方法を提供する。　樹脂封入部材（２０）は、外部包装体（２１）内に液状の樹脂組成物の主剤（２２）及び硬化剤（２４）が封入されている。樹脂封入部材（２０）を用いた半導体装置の製造方法は、ＩＧＢＴ（５）及びダイオード（７）が搭載されたセラミック基板（３）上に樹脂封入部材（２０）を載置する第１工程（Ａ）と、外部包装体（２１）及び内部包装体（２３）を熱変形させて開封し、液状の樹脂組成物がセラミック基板（３）上でＩＧＢＴ（５）及びダイオード（７）を取り囲むように流出して混合封止材（２５）となる第２工程（Ｂ）と、混合封止材（２５）が濡れ広がった後に加熱により混合封止材（２５）を硬化する第３工程（Ｃ）と、を含む。