MAMR RECORDING HEAD WITH HIGH DAMPING TRAILING SHIELD SEED LAYER
A microwave assisted magnetic recording (MAMR) write head includes a main pole and a trailing shield. A spin torque oscillator device is disposed between the main pole and the trailing shield. The spin torque oscillator device includes a free layer. A trailing shield hot seed layer is disposed betwe...
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Format | Patent |
Language | English French |
Published |
08.07.2021
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Summary: | A microwave assisted magnetic recording (MAMR) write head includes a main pole and a trailing shield. A spin torque oscillator device is disposed between the main pole and the trailing shield. The spin torque oscillator device includes a free layer. A trailing shield hot seed layer is disposed between the spin torque oscillator device and the trailing shield. The trailing shield hot seed layer includes a magnetic material doped with a rare earth element. In certain embodiments, the trailing shield hot seed layer includes the rare earth element in an atomic percent content from about 2% to about 10% atomic percent. In certain embodiments, the trailing shield hot seed layer has an intrinsic damping from about 0.02 to about 0.2.
Une tête d'écriture à enregistrement magnétique assisté par micro-ondes (MAMR) comprend un pôle principal et une protection arrière. Un dispositif oscillateur à couple de spin est disposé entre le pôle principal et le blindage arrière. Le dispositif oscillateur à couple de spin comprend une couche libre. Une couche germe chaude de protection arrière est disposée entre le dispositif d'oscillateur à couple de spin et la protection arrière. La couche germe chaude de protection arrière comprend un matériau magnétique dopé avec un élément des terres rares. Dans certains modes de réalisation, la couche germe chauds de protection arrière comprend l'élément des terres rares dans une teneur en pourcentage atomique d'environ 2 % à environ 10 % pour cent atomique. Dans certains modes de réalisation, la couche germe chaude de protection arrière comprend un amortissement intrinsèque d'environ 0,02 à environ 0,2. |
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Bibliography: | Application Number: WO2020US23425 |