INTEGRATED MEMORY HAVING NON-OHMIC DEVICES AND CAPACITORS

• Main Authors: BALAKRISHNAN, Muralikrishnan, SHARMA, Pankaj
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 24.06.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Some embodiments include a memory cell having a non-ohmic device between a transistor source/drain region and a capacitor. Some embodiments include a memory cell having a transistor with a first source/drain region, a second source/drain region, and a channel region between the first and second source/drain regions. A capacitor is electrically coupled to the second source/drain region through a non- ohmic device. The non-ohmic device includes a non-ohmic-device-material which changes conductivity in response to an electrical property along the channel region. The non-ohmic-device-material has a high-resistivity-mode when the electrical property along the channel region is below a threshold level, and transitions to a low-resistivity-mode when the electrical property along the channel region meets or exceeds the threshold level. Some embodiments include a memory array. Certains modes de réalisation comprennent une cellule de mémoire ayant un dispositif non ohmique entre une région de source/drain de transistor et un condensateur. Certains modes de réalisation de la présente invention comprennent une cellule de mémoire ayant un transistor ayant une première région de source/drain, une seconde région de source/drain, et une région de canal entre les première et seconde régions de source/drain. Un condensateur est couplé électriquement à la seconde région de source/drain par l'intermédiaire d'un dispositif non ohmique. Le dispositif non ohmique comprend un matériau de dispositif non ohmique qui change de conductivité en réponse à une propriété électrique le long de la région de canal. Le matériau de dispositif non ohmique a un mode de résistivité élevée lorsque la propriété électrique le long de la région de canal est inférieure à un niveau de seuil, et passe à un mode de faible résistivité lorsque la propriété électrique le long de la région de canal satisfait ou dépasse le niveau de seuil. Certains modes de réalisation comprennent un réseau de mémoire.