PLASMA TREATMENT DEVICE

• Main Authors: YOKOGAWA Kenetsu, KAJIFUSA Hiroyuki, MORI Masahito, ARASE Takao
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 24.06.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OFNEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMICBEAMS; SEMICONDUCTOR DEVICES

In order to provide a plasma treatment device capable of achieving stable plasma treatment characteristics, said plasma treatment device has, in a sample stage that is arranged at a lower section in a treatment chamber inside a vacuum container and on which a wafer to be treated by using the plasma is placed, said wafer being placed on an upper surface of a protruding section arranged at an upper center section of the sample stage: an electrode that is arranged inside and that is supplied with high-frequency electrical power while the wafer is being treated, as well as an electrode of a ring-shaped member that is formed of a conductor and that is arranged so as to surround the upper surface at an outer circumferential side of the protruding section of the sample stage; a first ring-shaped cover, formed of a dielectric, that is arranged so as to cover the ring-shaped member between this ring-shaped member and the treatment chamber and between this ring-shaped member and an upper surface of the sample stage; and a second ring-shaped cover, formed of a conductor, that is arranged so as to cover an upper surface of the first ring-shaped cover between the treatment chamber and the upper surface of the first ring-shaped cover. The plasma treatment device is provided with an adjuster that, according to the detection result of the voltage of high-frequency electrical power supplied to the ring-shaped member formed of a conductor while the wafer is being treated, adjusts the magnitude of the high-frequency electrical power. Afin de fournir un dispositif de traitement au plasma capable d'obtenir des caractéristiques de traitement au plasma stables, le présent dispositif de traitement au plasma présente, dans un étage d'échantillon qui est agencé au niveau d'une section inférieure dans une chambre de traitement à l'intérieur d'un récipient sous vide et sur lequel une tranche devant être traitée au moyen du plasma est placée, ladite tranche étant placée sur une surface supérieure d'une section en saillie agencée au niveau d'une section centrale supérieure de l'étage d'échantillon : une électrode qui est agencée à l'intérieur et qui est alimentée en énergie électrique à haute fréquence tandis que la tranche est en cours de traitement, ainsi qu'une électrode d'un élément annulaire qui est formée d'un conducteur et qui est agencée de manière à entourer la surface supérieure au niveau d'un côté circonférentiel externe de la section en saillie de l'étage d'échantillon ; un premier couvercle annulaire, formé d'un diélectrique, qui est agencé de manière à recouvrir l'élément annulaire entre cet élément annulaire et la chambre de traitement et entre cet élément annulaire et une surface supérieure de l'étage d'échantillon ; et un second couvercle annulaire, formé d'un conducteur, qui est agencé de manière à recouvrir une surface supérieure du premier couvercle annulaire entre la chambre de traitement et la surface supérieure du premier couvercle annulaire. Le dispositif de traitement au plasma est doté d'un dispositif de réglage qui, en fonction du résultat de détection de la tension de l'énergie électrique à haute fréquence fournie à l'élément annulaire formé d'un conducteur pendant que la tranche est en cours de traitement, règle l'amplitude de la puissance électrique à haute fréquence. 安定したプラズマ処理特性を得ることのできるプラズマ処理装置を提供するため、真空容器内部の処理室内の下部に配置され前記プラズマを用いた処理対象のウエハが載せられる試料台であって上部の中央部に配置された凸状部の上面に前記ウエハが載せられる試料台において内部に配置され前記ウエハの処理中に高周波電力が供給される電極および前記試料台の前記凸状部の外周側で前記上面を囲んで配置された導体製のリング状部材の電極と、このリング状部材と前記処理室との間及び前記試料台の上面との間で前記リング状部材を対して覆って配置された誘電体製の第１のリング状カバーと、前記処理室と第１のリング状カバーの上面との間でこれを覆って配置され導体製の第２のリング状カバーとを備え、ウエハの処理中に導体製のリング状部材に供給する高周波電力の電圧を検出した結果に応じて当該高周波電力の大きさを調節する調節器とを備えた。